[發明專利]過濾裝置及其過濾方法與晶片制造方法

有效

• 申請號: 200710085664.2
• 申請日: 2007-03-06
• 公開（公告）號: CN101053702A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 郝鴻虎;曾國邦
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: B01D5/00
• 分類號: B01D5/00;B01D8/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種過濾裝置，用以過濾氣體，該氣體具有第一溫度，該過濾裝置包 括：

殼體，具有進氣口、排氣口及冷凝室，該進氣口用以供該氣體進入該冷 凝室，該排氣口用以供該氣體離開該冷凝室；

冷凝器，與該殼體耦接，用以維持該冷凝室內的溫度為第二溫度，該第 二溫度低于該第一溫度；以及

至少一個吸附元件，設置于該冷凝室中，并具有多個峰部和多個谷部， 該些峰部和該些谷部交錯排列，該些峰部和該些谷部用以冷卻接觸該些峰部 和該些谷部的該氣體中的微粒子而吸附該氣體中的微粒子，該吸附元件對應 于各該峰部的壁厚大于該吸附元件對應于各該谷部的壁厚。

2.如權利要求1所述的過濾裝置，其中該吸附元件還具有底面、頂面及 貫孔，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該貫孔的孔壁具有該些峰部和該些谷部， 該過濾裝置還包括：

濾網，設置于該頂面上，并封住該貫孔的一端開口，該濾網用以過濾該 氣體。

3.如權利要求1所述的過濾裝置，其中該吸附元件還具有底面、頂面、 側面及貫孔，該側面連接該底面和該頂面，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該 側面具有該些峰部和該些谷部，該過濾裝置還包括：

濾網，設置于該頂面上，并封住該貫孔的一端開口，該濾網用以過濾該 氣體。

4.如權利要求1所述的過濾裝置，其中該吸附元件還具有底面、頂面、 側面及貫孔，該側面連接該底面和該頂面，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該 貫孔的孔壁和該側面具有該些峰部和該些谷部。

5.如權利要求4所述的過濾裝置，還包括：

濾網，設置于該頂面上，并封住該貫孔的一端開口，該濾網用以過濾該 氣體。

6.一種過濾方法，用以過濾氣體，該氣體具有第一溫度，該過濾方法包 括：

提供至少一個吸附元件，該吸附元件具有多個峰部和多個谷部，該些峰 部和該些谷部交錯排列，該吸附元件對應于各該峰部的壁厚大于該吸附元件 對應于各該谷部的壁厚；

維持該吸附元件的溫度為第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度；以及

導引該氣體流經該吸附元件，使該些峰部和該些谷部冷卻接觸該些峰部 和該些谷部的該氣體中的微粒子而吸附該氣體中的微粒子。

7.如權利要求6所述的過濾方法，其中該吸附元件還具有底面、頂面及 貫孔，該貫孔貫穿該底面和該頂面，該貫孔具有貫穿中心線，該吸附元件的 任一垂直于該貫穿中心線的截面為中空星狀截面。

8.如權利要求6所述的過濾方法，其中該吸附元件還具有底面、頂面及 側面，該側面連接該底面和該頂面，該側面具有該些峰部和該些谷部。

9.一種晶片制造方法，包括：

置放晶片于反應室中；

提供第一溫度于該反應室，以進行該晶片的半導體制造工藝；

提供至少一個吸附元件，該吸附元件具有多個峰部和多個谷部，該些峰 部和該些谷部交錯排列，該吸附元件對應于各該峰部的壁厚大于該吸附元件 對應于各該谷部的壁厚；

維持該吸附元件的溫度為第二溫度，該第二溫度低于該第一溫度；以及

導引該反應室的氣體流經該吸附元件，使該些峰部和該些谷部冷卻接觸 該些峰部和該些谷部的該氣體中的微粒子而吸附該氣體中的微粒子。

10.如權利要求9所述的晶片制造方法，其中該吸附元件還具有底面、 頂面、側面及貫孔，該側面連接該底面和該頂面，該貫孔貫穿該底面和該頂 面，該側面具有該些峰部和該些谷部。

11.如權利要求9所述的晶片制造方法，其中該吸附元件還具有底面、 頂面、側面及貫孔，該側面連接該底面和該頂面，該貫孔貫穿該底面和該頂 面，該貫孔的孔壁和該側面具有該些峰部和該些谷部。