[發明專利]多域垂直配向型像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710085489.7
• 申請日: 2007-03-07
• 公開（公告）號: CN101261409A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 陳建宏;朱正仁;許哲銘;楊長浩
• 申請（專利權）人: 奇美電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

技術領域

本發明是有關于一種多域垂直配向型像素結構及其制造方法，且特別是有關于一種高開口率的多域垂直配向型像素結構及其制造方法。

背景技術

現今社會多媒體技術相當發達，多半受惠于半導體元件與顯示裝置的進步。就顯示器而言，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場的主流。

為了讓液晶顯示器有更好的顯示品質，目前液晶顯示器皆朝向高對比(high?contrast?ratio)、無灰階反轉(no?gray?scale?inversion)、色偏小(little?colorshift)、亮度高(high?luminance)、高色飽和度、快速反應與廣視角等特性來發展。以廣視角技術而言，常見的例如有共平面切換式(in-plane?switching，IPS)液晶顯示器、扭轉向列型(Twisted?Nematic，TN)液晶顯示器、邊際場切換式(fringe?field?switching)液晶顯示器與多域垂直配向式(multi-domainvertically?alignment，MVA)液晶顯示器等。

圖1是已知多域垂直配向型像素結構的示意圖。請參考圖1，已知的多域垂直配向型像素結構100配置于基板102上，且多域垂直配向型像素結構100適于受掃描線104與數據線106驅動。具體而言，已知的多域垂直配向型像素結構100包括有源元件110、像素電極120、存儲電容器(storagecapacitor)130與共用配線140。其中，像素電極120透過接觸窗開口C1而與有源元件110電性連接。實務上，開關信號可以透過掃描線104的傳遞而將有源元件110開啟，在有源元件110開啟后顯示信號可透過數據線106而傳遞至像素電極120中。

這里要說明的是，像素電極120上具有主狹縫(Main?slit)S1以及多個與主狹縫(Main?slit)S1連接的細狹縫(Fine?slit)S2。具體而言，液晶顯示器(未繪示)中位于像素電極120的主狹縫S1與細狹縫S2處的電場方向，可使液晶分子呈現不同方向的傾倒狀態，以增加顯示畫面的可視角。此外，存儲電容器130主要是由下電極層132與上電極層134所構成。其中，下電極層132會與橫跨過顯示區D的共用配線(Common?line)140電性連接。值得注意的是，由于下電極層132、上電極層134與共用配線140一般是由金屬材料形成。因此，下電極層132、上電極層134與共用配線140會阻擋光線的穿透。換言之，存儲電容器130與共用配線140位于顯示區D內的面積愈大，則會導致開口率(aperture?ratio)愈低，進而影響顯示效果，實有改進的必要。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的是提供一種多域垂直配向型像素結構，以解決已知像素結構的開口率無法有效提升的問題。

本發明的另一目的是提供一種多域垂直配向型像素結構的制造方法，以制造出高開口率的像素結構。

為達上述或是其他目的，本發明提出一種多域垂直配向型像素結構，其適于配置于基板上。本發明的多域垂直配向型像素結構包括有源元件、圖案化像素電極與存儲電容器。其中，有源元件配置于基板上，而圖案化像素電極會與有源元件電性連接。此外，圖案化像素電極具有主狹縫(main-slit)。上述的存儲電容器配置于基板上且位于主狹縫內，且存儲電容器電性連接至有源元件。

在本發明的一實施例中，上述的存儲電容器包括第一電容電極、絕緣層與第二電容電極。其中，第一電容電極對應主狹縫而配置于基板上。此外，絕緣層覆蓋第一電容電極，而第二電容電極對應第一電容電極而配置于絕緣層上，且第二電容電極與有源元件電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的多域垂直配向型像素結構還包括共用配線，其配置于基板上且與第一電容電極電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的圖案化像素電極具有多個與主狹縫連接的細狹縫(fine-slit)。

在本發明的一實施例中，上述的第一電容電極可延伸至細狹縫內。

在本發明的一實施例中，上述的第二電容電極可延伸至細狹縫內。

在本發明的一實施例中，上述的存儲電容器包括第一電容電極、絕緣層與第二電容電極。其中，第一電容電極對應主狹縫而配置于基板上，且第一電容電極與有源元件電性連接。此外，絕緣層覆蓋第一電容電極，而第二電容電極對應第一電容電極而配置于絕緣層上。