[發明專利]多域垂直配向型像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710085489.7
• 申請日: 2007-03-07
• 公開（公告）號: CN101261409A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 陳建宏;朱正仁;許哲銘;楊長浩
• 申請（專利權）人: 奇美電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.?一種多域垂直配向型像素結構，適于配置于基板上，該多域垂直配向型像素結構包括：

有源元件，配置于該基板上；

圖案化像素電極，與該有源元件電性連接，其中該圖案化像素電極具有主狹縫；以及

存儲電容器，配置于該基板上且位于該主狹縫內，且該存儲電容器電性連接至該有源元件。

2.?如權利要求1所述的多域垂直配向型像素結構，其中該存儲電容器包括：

第一電容電極，對應該主狹縫而配置于該基板上；

絕緣層，覆蓋該第一電容電極；以及

第二電容電極，對應該第一電容電極而配置于該絕緣層上，且該第二電容電極與該有源元件電性連接。

3.?如權利要求2所述的多域垂直配向型像素結構，其中該圖案化像素電極具有多個與該主狹縫連接的細狹縫。

4.?如權利要求3所述的多域垂直配向型像素結構，其中該第一電容電極延伸至該些細狹縫內。

5.?如權利要求3所述的多域垂直配向型像素結構，其中該第二電容電極延伸至該些細狹縫內。

6.?一種多域垂直配向型像素結構的制造方法，包括：

提供一基板，具有有源元件預定區與狹縫預定區；

在該有源元件預定區內的該基板上形成柵極，并于該狹縫預定區內的該基板上形成第一電容電極；

在該基板上形成絕緣層，覆蓋該柵極與該第一電容電極；

在該柵極上方的絕緣層上形成溝道層；

在該溝道層上形成源極/漏極，且分別位于該柵極的兩側，并在該狹縫預定區內的絕緣層上形成第二電容電極，其中該第二電容電極對應該第一電容電極而形成存儲電容器；

在該基板上形成保護層，覆蓋該源極、該漏極、部分的該溝道層、該絕緣層與該第二電容電極；

在該保護層中形成第一接觸窗開口，以暴露出該漏極；以及

在該保護層上形成圖案化像素電極，該圖案化像素電極通過該第一接觸窗開口而與該漏極電性連接，其中該圖案化像素電極具有對應于該狹縫預定區的主狹縫。

7.?如權利要求6所述的多域垂直配向型像素結構的制造方法，其中在形成該第一電容電極時，還包括在該基板上形成共用配線，且該共用配線與該第一電容電極電性連接。

8.?如權利要求6所述的多域垂直配向型像素結構的制造方法，其中該漏極與該第二電容電極為相同膜層。

9.?如權利要求6所述的多域垂直配向型像素結構的制造方法，其中在形成該第一接觸窗開口時，還包括在該保護層與該絕緣層中形成第二接觸窗開口，以暴露出部分的該第一電容電極。

10.?如權利要求6所述的多域垂直配向型像素結構的制造方法，其中在形成該圖案化像素電極時還包括在該圖案化像素電極上且對應于該狹縫預定區內，形成多個與該主狹縫連接的細狹縫。