[發明專利]保護晶片正面結構及進行晶片切割的方法

無效

• 申請號: 200710084933.3
• 申請日: 2007-02-16
• 公開（公告）號: CN101244613A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 陳至賢
• 申請（專利權）人: 探微科技股份有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

技術領域

本發明關于一種保護晶片正面結構的方法，特別是一種以一水溶性膠保護層覆 蓋于晶片的正面，在晶片切割工藝形成多個管芯后，再以熱水去除該水溶性膠保護 層的方法。

背景技術

因應消費性電子產品的超薄化晶片及微機電產品的特殊工藝需求，各種 晶片的承載技術紛紛被開發且應用于產品上，以現有的技術來說每片晶片上 制造了數百或數千個包含電路、微機電結構或是光學元件的管芯(管芯的數 量將取決于該晶片的尺寸，及各個管芯的尺寸)，這些元件被整齊地制造于 晶片上，因此，要把每一個集成電路從晶片上分割下來予以封裝成具有獨立 功能的個體，必須將其切割。目前使用的技術可略分成下列幾類：

1)將該晶片接于另一晶片上以加強以其強度，當工藝結束時，再使用特 殊工藝將兩晶片分離；常用的兩種接合方式如下：

(A)利用雙面具黏性的膠帶，在兩晶片接合并切割工藝結束后，再利用 特殊工藝將兩晶片分開；或

(B)使用特殊膠或是蠟當作接合物，當切割工藝完成后再泡入可去除該 特殊膠或蠟的特定溶劑中，去除該接合物。除了前述以雙面膠帶、特殊膠或 蠟將欲切割的晶片接合在另一晶片上的方式外，另一種方式則為：

2)將晶片貼于單面膠帶上，配合切割用的膠圈或金屬圈作為框架，以支 撐該晶片，在晶片切割工藝結束后，再將單面膠帶和框架移除。

然而，上述的幾種方式在接合用的膠帶或接合物移除后，在接合物和晶 片的接觸面、或是單面膠帶和晶片的接觸面，都會發現有殘膠滯留在晶片表 面(或更明確的說，滯留在獨立管芯表面的微機電結構或光學元件表面)，更 令人擔心的是，這些滯留的殘膠去除不易，不僅造成工藝污染，同時也會使 產品的成品率降低。

發明內容

有鑒于此，申請人為解決習知切割工藝后常見的殘膠問題，特提出一種 保護晶片正面并進行晶片切割的方法，依本發明所述的方法所切割完成的管 芯，不僅工藝成品率穩定，亦無殘膠污染的問題。

為解決上述問題，本發明提供一種保護晶片正面結構的方法。首先提供 一晶片，且該晶片的一正面設有多個元件，接著形成一保護層覆蓋于該晶片 的該正面，然后提供一第一黏著層貼附于該保護層上，并將該晶片固定于一 切割載具，之后進行一晶片切割工藝，自該晶片的一背面切割該晶片，形成 多個管芯，最后移除該第一黏著層及該保護層。

此外，申請人另提出一種保護晶片正面結構及進行晶片切割的方法。最 初先提供一晶片，而該晶片的一正面設有多個元件，然后形成一水溶性膠保 護層覆蓋于該晶片的該正面，并且提供一第一黏著層貼附于該保護層上，并 將該晶片固定于一切割載具，之后進行一晶片切割工藝，自該晶片的一背面 切割該晶片，單體化所述元件以形成多個管芯，再者提供一第二黏著層貼附 于所述管芯的背面，并翻轉所述管芯，之后移除該第一黏著層及該水溶性膠 保護層，最后移除該第二黏著層以單體化所述管芯。

附圖說明

圖1至圖8，是依據本發明的一優選實施例所繪示的保護晶片正面圖案 及進行晶片切割的操作步驟。

主要元件符號說明

10????晶片????????????????????????12????正面

14????元件????????????????????????16????光阻層

18????保護層??????????????????????20????背面

22????第一黏著層??????????????????24????框架

26????管芯????????????????????????28????第二黏著層

具體實施方式

為了突顯本發明的優點及特征，下文列舉本發明的數個優選實施例，并 配合圖示作詳細說明如下：

首先請參考圖1至8圖，是依據本發明的一優選實施例所繪示的保護晶 片正面圖案及進行晶片切割的操作步驟。如圖1所示，首先提供一晶片10， 晶片10已完成前段元件制作的工藝，在晶片10的一正面12形成有多個元 件14，其中元件14可以是具有立體結構的微機電元件、可感應或投射影像 的光學元件或是其他可傳遞電子信號的電路。