[發(fā)明專(zhuān)利]保護(hù)晶片正面結(jié)構(gòu)及進(jìn)行晶片切割的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710084933.3
• 申請(qǐng)日: 2007-02-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101244613A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳至賢
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 探微科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B28D5/00
• 分類(lèi)號(hào): B28D5/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種保護(hù)晶片正面結(jié)構(gòu)的方法，包含有：

提供晶片，該晶片的一正面設(shè)有多個(gè)元件；

形成保護(hù)層覆蓋于該晶片的該正面；

提供第一黏著層貼附于該保護(hù)層上，并將該晶片固定于切割載具；

進(jìn)行晶片切割工藝，自該晶片的一背面切割該晶片，形成多個(gè)管芯；以 及

移除該第一黏著層及該保護(hù)層，

其中該保護(hù)層為水溶性膠。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中于形成該保護(hù)層覆蓋于該晶片的該 正面前，可選擇性地形成光阻層，以保護(hù)所述元件。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中于該保護(hù)層形成后，另包含固化工 藝，并使該保護(hù)層失去黏性。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中于該晶片固定于該切割載具后，可 選擇性地進(jìn)行晶片薄化工藝，自該晶片的該背面薄化該晶片。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中于該晶片切割工藝后，另包含提供 第二黏著層，將該第二黏著層黏附于所述管芯的背面以固定所述管芯，以利 翻轉(zhuǎn)所述管芯。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該保護(hù)層利用熱水移除。

7.一種保護(hù)晶片正面結(jié)構(gòu)及進(jìn)行晶片切割的方法，包含有：

提供晶片，該晶片的一正面設(shè)有多個(gè)元件；

形成水溶性膠保護(hù)層覆蓋于該晶片的該正面；

提供第一黏著層貼附于該保護(hù)層上，并將該晶片固定于切割載具；

進(jìn)行晶片切割工藝，自該晶片的一背面切割該晶片，單體化所述元件以 形成多個(gè)管芯；

提供第二黏著層貼附于所述管芯的背面，并翻轉(zhuǎn)所述管芯；

移除該第一黏著層及該水溶性膠保護(hù)層；以及

移除該第二黏著層以單體化所述管芯。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中于形成該水溶性膠保護(hù)層覆蓋于該 晶片的該正面前，可選擇性地形成光阻層，以保護(hù)所述元件。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中于該水溶性膠保護(hù)層形成后，另包 含固化工藝，并使該保護(hù)層失去黏性。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中于該晶片固定于該切割載具后，可 選擇性地進(jìn)行晶片薄化工藝，自該晶片的該背面薄化該晶片。

11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該水溶性膠保護(hù)層利用熱水移除。