[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 200710084317.8 | 申請日: | 2007-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN101060066A | 公開(公告)日: | 2007-10-24 |
| 發明(設計)人: | 水野博喜 | 申請(專利權)人: | 大日本網目版制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,用于在方形基板的表面形成薄膜,其特征在于,
具有:
涂敷單元,其從狹縫噴嘴噴出處理液的同時,使上述狹縫噴嘴沿涂敷方向移動,向基板的表面涂敷處理液,其中,上述狹縫噴嘴沿著在水平面內與上述涂敷方向垂直的方向延伸;
搬送單元,其用于一邊從在水平面內與上述涂敷方向垂直的方向保持上述方形基板,一邊將上述方形基板搬入上述涂敷單元以及/或者將上述方形基板從上述涂敷單元搬出;
上述涂敷單元以及上述搬送單元沿著在水平面內與上述涂敷方向垂直的方向排列,
上述搬送單元具有支承方形基板的中央部的支承構件。
2.如權利要求1所記載的基板處理裝置,其特征在于,
上述搬送單元還具有使方形基板升降的升降裝置。
3.如權利要求2所記載的基板處理裝置,其特征在于,
還具有后處理單元,該后處理單元對上述涂敷單元中的處理結束后的方形基板進行后處理,
上述后處理單元和上述搬送單元形成多級結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





