[發明專利]利用瑕疵存儲器的系統、裝置和方法及封裝結構有效
| 申請號: | 200710079392.5 | 申請日: | 2007-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN101246741A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發明(設計)人: | 張華龍;殷立定;羅魏熙 | 申請(專利權)人: | 深圳市芯邦微電子有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06;G06F11/10;G11C29/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 518057廣東省深圳市高新區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 瑕疵 存儲器 系統 裝置 方法 封裝 結構 | ||
技術領域
本發明涉及存儲器技術領域,特別涉及一種利用瑕疵存儲器的系統、裝置和方法及其封裝結構。
背景技術
當存儲器中存在壞的存儲塊時,該存儲器為瑕疵存儲器,這些壞的存儲塊不能被使用,而好的存儲塊仍可以被正常使用。
專利號為200410086950.7的中國專利文件提出了一種利用瑕疵存儲器的方法和裝置。該專利文件種提出,存儲器可用容量一半的低地址中存在至少一個壞塊區時,則該壞塊所在低地址的所有存儲區域都不能使用,而只使用另一半的高地址存儲塊。存儲器高地址中存在壞塊的處理方式相同。當需要使用瑕疵存儲器時,具體的講是利用瑕疵存儲器的好塊時,需要對地址線進行控制,只讀寫好塊,而避免對壞塊的讀寫。設存儲器分為16塊,編號為從0到15,有四根高位地址線A3、A2、A1、A0,每根高位地址線有兩種狀態,分為0和1,四根高位地址線的組合共有2的4次方個,即16個,每個組合對應一個存儲塊編號。如果編號為0的存儲塊是壞塊,則該存儲塊對應的低地址的存儲區域,即0~7的存儲塊都不能使用。為了避開這個壞塊所在的低地址存儲區,將高位地址線A3設為固定的1,即將A3=0的地址屏蔽,由A3、A2、A1三個地址線組成的8個狀態控制8個存儲塊的讀寫,即控制編號為8~15的存儲塊。這時,8~15的存儲塊中又產生一個壞的存儲塊,如第8塊是壞塊,為了避開這個壞塊,將A2固定的設為1,即將A2=0的地址屏蔽,由A2、A1兩個地址線組成的四個狀態控制4個存儲塊的讀寫,即控制編號為12~15的存儲塊。當剩余的存儲塊中又產生一個壞塊時,重復利用該方法屏蔽該壞塊所在的一半存儲區域。當存儲器分為32塊、64塊等情況時,產生壞塊時利用該存儲器的方法與此相同。
可見,當存儲器存在至少兩個壞塊,且壞塊在高地址和低地址中分別都存在時,現有的方法對存儲器的利用率很低,不能對存在的好塊進行有效的利用。
另外,現有技術在實施時,還必須先檢測存儲器的壞塊區域,根據檢測結果對存儲器進行分塊,設置電氣開關,通過手工操作該電氣開關的方式進行控制。但是,本領域技術人員知道,電氣開關是一種物理開關,其反應速度和靈敏度都很有限,這樣就影響了讀寫存儲器的效果,且手工操作較為繁瑣。
一種利用瑕疵存儲器的系統中,由于受到容量的限制,可提供的電氣開關的數量是有限的,那么,當瑕疵存儲器在壞塊情況較為復雜的情況下,有限的物理開關不能滿足需求。例如,總容量為8塊的存儲器,如果有存在兩個壞塊時,根據壞塊所處位置的不同,應用排列組合關系,可以由公示C(8,2)=8!/[(8-2)!/2!]=28得到28種不同的損壞類型,如果此時提供的電氣開關時5個,可以表示2的5次方共32種,32>28,因此該情況下5個電氣開關可以滿足需要。但是如果8個存儲塊種有3個壞塊時,由C(8,3)=8!/[(8-3)!/3!]=336得到336種損壞類型,此時需要至少提供9個電氣開關,這9個電氣開關可提供2的9次方共512個狀態,才可以滿足336種損壞情況。
但是,在系統種能提供的電氣開關是有限的,而且如果存儲器分為16塊、32塊或更多的情況時,可以計算出需要的電氣開關數量將很大,這種情況下提供大量的電氣開關是難以實現的。
發明內容
本發明的目的是提供一種利用瑕疵存儲器的系統、裝置和方法及封裝結構,以克服現有技術中存儲器存在至少兩個壞塊,且壞塊在高地址和低地址中分別都存在時,對存儲器的利用率低,不能對存在的好塊進行有效利用的缺陷。
本發明的次要目的在于提供一種利用瑕疵存儲器的系統、裝置和方法及封裝結構,其讀寫存儲器效果好,操作簡單方便,容易實現。
為解決上述技術問題,本發明提供一種利用瑕疵存儲器的系統、裝置和方法及封裝結構是這樣實現的:
一種利用瑕疵存儲器的系統,包括存儲控制器110,譯碼模塊130和瑕疵存儲器120,其中,
存儲控制器110與瑕疵存儲器120間通過時鐘線、數據總線、低位地址總線、第一控制線和第二控制線相連,與譯碼模塊130通過高位地址輸入總線和第二控制線相連,用于通過譯碼模塊130對瑕疵存儲器120進行讀寫;
譯碼模塊130與存儲控制器110通過高位地址輸入總線和第二控制線相連,與瑕疵存儲器120通過高位地址輸出總線相連,用于將存儲控制器110對瑕疵存儲器120進行讀寫的地址譯碼為瑕疵存儲器120中好塊的地址。
譯碼模塊130包括譯碼控制模塊131,輸出驅動模塊132和可編程模塊133,其中,
譯碼控制模塊131的輸入端與存儲控制器110通過高位地址輸入總線和第二控制線相連,用于對存儲控制器110輸入地址的譯碼;
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