[發(fā)明專利]多晶片面對面堆疊封裝構造有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710079370.9 | 申請日: | 2007-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN101246877A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃祥銘;劉安鴻;林勇志;李宜璋;何淑靜 | 申請(專利權)人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶 片面 對面 堆疊 封裝 構造 | ||
1.?一種多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于該封裝構造包含:
一基板,其是具有一第一表面、一第二表面、多數(shù)個第一凸塊容置孔與多數(shù)個第二凸塊容置孔;
一第一晶片,其主動面是設置于該基板的該第一表面,并且該第一晶片是具有多數(shù)個對準在上述第一凸塊容置孔的第一電極;
多數(shù)個第一凸塊,其是設置于上述第一凸塊容置孔內并電性連接上述第一電極至該基板;
一第二晶片,其主動面是設置于該基板的該第二表面,并且該第二晶片是具有多數(shù)個對準在上述第二凸塊容置孔的第二電極;
多數(shù)個第二凸塊,其是設置于上述第二凸塊容置孔內并電性連接上述第二電極至該基板;以及
多數(shù)個外接端子,其是設置于該基板。
2.?根據(jù)權利要求1所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的第一凸塊是由該基板的第二表面設置于上述第一凸塊容置孔內,且上述第二凸塊是由該基板的第一表面設置于上述第二凸塊容置孔內。
3.?根據(jù)權利要求1所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的第二晶片是遮蓋上述第一凸塊容置孔,以使上述第一凸塊位于該第一晶片與該第二晶片之間。
4.?根據(jù)權利要求1或3所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的第一晶片是具有小于該第二晶片的尺寸,以不遮蓋上述第二凸塊容置孔。
5.?根據(jù)權利要求4所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的第二凸塊位于該第一晶片的兩側。
6.?根據(jù)權利要求1所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的外接端子是設置于該基板的第二表面。
7.?根據(jù)權利要求1或6所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的基板是具有一線路層,其是形成于該第一表面。
8.?根據(jù)權利要求6所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其另包含有一封膠體,其是形成于該基板的第一表面,以密封該第一晶片與上述第二凸塊。
9.?根據(jù)權利要求8所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的封膠體是更形成于該基板的第二表面的一部位,以密封該第二晶片。
10.?根據(jù)權利要求1所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的外接端子是設置于該基板的第一表面。
11.?根據(jù)權利要求1或10所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的基板是具有一線路層,其是形成于該第二表面。
12.?根據(jù)權利要求10所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其另包含有一封膠體,其是形成于該基板的第二表面,以密封該第二晶片。
13.?根據(jù)權利要求12所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其中所述的封膠體是更形成于該基板的第一表面的一部位,以密封該第一晶片與上述第二凸塊。
14.?根據(jù)權利要求1所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其另包含有至少一第三晶片,其是設置于該第二晶片上并電性連接至該基板。
15.?根據(jù)權利要求1或14所述的多晶片面對面堆疊封裝構造,其特征在于其另包含有至少一第四晶片,其是設置于該第一晶片上并電性連接至該基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內的類型的器件,例如構成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





