[發明專利]靶材以及該靶材所制造的薄膜無效
| 申請號： | 200710078740.7 | 申請日： | 2007-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN101245443A | 公開（公告）日： | 2008-08-20 |
| 發明（設計）人： | 李仲仁;趙勤孝;毛慶中 | 申請（專利權）人： | 光洋應用材料科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/14;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 黃健 |
| 地址： | 臺灣省*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 以及 制造 薄膜 | ||
1.一種靶材，其元素組成為IBx-IIIAy-VIAz；其中，
IB選自于以下群組中的至少一種：Cu及Ag；
IIIA選自于以下群組中的至少一種：In及Ga；
VIA選自于以下群組中的至少一種：S、Se及Te；
x為IB含量的原子百分比、y為IIIA含量的原子百分比、z為VIA含量的原子百分比，且滿足0＜x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1，x+y+z＝1；
且該靶材由包括以下步驟的方法所制成：
形成預合金：將一靶材元素與靶材元素組成中一種以上的其它元素合成預合金；
造粉：將預合金制成粉末；
混粉：將所述粉末直接混合或再與靶材元素組成中的其它元素或預合金粉末混合；
燒結：混合粉末經燒結后形成靶材。
2.如權利要求1所述的靶材，其中的IB為Cu或Ag或Cu-Ag，IIIA為In-Ga，VIA為Se。
3.如權利要求1所述的靶材，其中的IB為Cu或Ag或Cu-Ag，IIIA為Ga，VIA為Se。
4.如權利要求1所述的靶材，其中的IB為Cu或Ag或Cu-Ag，IIIA為In，VIA為Se。
5.如權利要求1所述的靶材，其中的IB為Cu或Ag或Cu-Ag，IIIA為In-Ga，VIA為S。
6.如權利要求1所述的靶材，其中的IB為Cu，IIIA為In-Ga，VIA為Te。
7.如權利要求1所述的靶材，其中的IB為Cu，IIIA為In，VIA為Te。
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