[發明專利]MCM(多晶粒模塊)之交直流轉換器無效
| 申請號： | 200710077618.8 | 申請日： | 2007-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN101232005A | 公開（公告）日： | 2008-07-30 |
| 發明（設計）人： | 陳慶豐 | 申請（專利權）人： | 貴陽華翔半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/00 | 分類號： | H01L25/00;H01L23/488;H01L23/498;H05K1/02;H05K1/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 550022貴州省貴陽市國*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mcm 多晶 模塊 直流 轉換器 | ||
1.本發明系提供一種多晶粒模塊器件，其系對多個單元在絕緣基片上電聯接的器件；其特征在于：其引腳采用國際標準并構筑在絕緣基片上的單元之全部或部份電極形成引出接線柱，且為該絕緣基片和封裝基片間的電聯接在該絕緣基片端部單面或雙面形成接腳金屬層并結合上述該引腳對端部加工，使其可直接用于封裝基片的結構；
2.依申請專利范圍第1項所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片層可多層化；
3.依申請專利范圍第1項所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片上的電聯接加入絕緣層，俾可進行多重布線；
4.依申請專利范圍第1項所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片與封裝基片之電聯接的金屬層可以單面或雙面聯接；
5.依申請專利范圍第4項所述之雙面金屬層，其通過兩絕緣，俾可作為兩引腳使用；
6.依申請專利范圍第4項所述之雙面金屬層，其可以綜合單面或雙面使用；
7.依申請專利范圍第1項所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片的某一面，如用其反面做為電氣布線使用，其導電金屬的厚度可以部分或全部不同；
8.依申請專利范圍第1項所述之一種多晶粒模塊器件.其中該接線柱電極的絕緣基片和單元表面間之空間(空隙).考慮熱傅導的因素，俾可進行適當之絕緣物填充；
9.依申請專利范圍第1項所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片的單面之部分或全部可用作密度性散熱應用；
10.依申請專利范圍第1項所述之一種多晶粒模塊器件，其中該絕緣基片可在表面裝置組件。
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