[發(fā)明專利]制備AR膜的生產(chǎn)線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710073630.1
• 申請日: 2007-03-22
• 公開（公告）號: CN101270467A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設計）人: 許生;徐升東;高文波;譚曉華;曹志剛;郭祖華;謝建軍
• 申請（專利權）人: 深圳豪威真空光電子股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 廣東國暉律師事務所
• 代理人: 徐文濤

1.?一種制備AR膜的生產(chǎn)線，包括磁控濺射制備AR膜生產(chǎn)線，其中所述生產(chǎn)線包括有上片、卸片百級凈化間，進出片真空室、過渡真空室、高真空室、鍍膜真空室、折返前過渡真空室、折返真空室和設置在真空室內(nèi)的基片架進、出片傳送裝置，傳送裝置上設有基片架，基片架上固定有基片，其中在進出片真空室設置有進片旋轉門閥和出片旋轉門閥，在進出片真空室與過渡真空室之間、高真空室與鍍膜室之間分別設置有高真空插板門閥，在各真空室的法蘭上分別開有窄型法蘭口；在所有鍍膜真空室的進片傳送裝置與出片傳送裝置之間設置帶抽氣口的防濺射隔板；在鍍膜真空室上設置有兩套柱狀磁控濺射源；高真空室內(nèi)設置有低溫氣體吸附冷板；在折返前過渡真空室設置有膜層質量在線檢測儀器；進出片真空室和折返真空室分別連接有初抽真空泵組；高真空室、鍍膜真空室、過渡真空室、折返真空室分別配置有分子泵。

2.?如權利要求1所述的制備AR膜的生產(chǎn)線，其特征是所述濺射源包括中頻柱狀旋轉磁控濺射源。

3.?如權利要求1所述的制備AR膜的生產(chǎn)線，其特征是鍍膜真空室的兩側分別設置有濺射源或分子泵。

4.?如權利要求1所述的制備AR膜的生產(chǎn)線，其特征是所述與鍍膜真空室連接的高真空室內(nèi)設置有低溫氣體吸附冷板；所述鍍膜真空室的防濺射隔板上設有冷卻水管。

5.?如權利要求1所述的制備AR膜的生產(chǎn)線，其特征是所述折返真空室的基片架從進片傳送裝置平移或回轉到出片傳送裝置。

6.?如權利要求1所述的制備AR膜的生產(chǎn)線，其特征是所述進出片真空室與過渡真空室間的高真空插板門閥開啟真空度設置為低于10Pa。

7.?如權利要求1所述的制備AR膜的生產(chǎn)線，其特征是所述高真空室在鍍膜前的背景真空度為低于10^-4Pa；鍍膜真空室、折返前過渡真空室、折返真空室在鍍膜前的背景真空度為低于3×10^-3Pa；

8.?如權利要求1所述的制備AR膜的生產(chǎn)線，其特征是所述鍍膜真空室設置的濺射源數(shù)量根據(jù)產(chǎn)品和工藝要求可做調整。

9.?如權利要求1所述的制備AR膜的生產(chǎn)線，其特征是所述鍍膜真空室可以根據(jù)產(chǎn)品和工藝要求增減。