[發明專利]制備AR膜的生產線

有效

• 申請號: 200710073630.1
• 申請日: 2007-03-22
• 公開（公告）號: CN101270467A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 許生;徐升東;高文波;譚曉華;曹志剛;郭祖華;謝建軍
• 申請（專利權）人: 深圳豪威真空光電子股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 廣東國暉律師事務所
• 代理人: 徐文濤

技術領域

本發明涉及一種柱狀磁控濺射陰極制備AR膜專用生產線。

背景技術

目前為止磁控濺射法是一種可以做到大面積均勻沉積高質量膜層的方法。而且也是最容易推廣和工業化的一種方法。因此，這種方法在制備高檔次、高質量的減反射〔AR〕膜產品上也應用相當廣泛，而且在此基礎上對產品的產能和質量以及工藝的可調性方面提出了更高的要求。鑒于此，國內也出現了很多專門制備減反射〔AR〕膜玻璃的磁控濺射連續鍍膜生產線。早期的生產線采用了臥式結構，通常的方式是鍍膜基片在上方，磁控濺射靶在鍍膜基片的下方進行向上濺射沉積從而避免真空室內的靶灰及粉塵對膜層的影響。

對于平板顯示用減反射〔AR〕膜，現在采用的生產線形式多為直線立式結構。目前市場上鍍膜的尺寸規格繁多，相同尺寸的顯示器由于邊框不一致使得〔AR〕玻璃的尺寸出現差異。所以應該要求盡量滿足大尺寸減反射〔AR〕膜玻璃制備的要求。目前，大多數的廠商需要雙面減反射〔AR〕膜玻璃，對生產效率以及工藝穩定性等方面提出了更高的要求。傳統的生產線結構就暴露出相應的弱點：①、由于完成一次工藝路線只能進行玻璃基片的單面鍍膜，基片架返回軌道在真空箱體外會造成基片架和玻璃基片的污染，影響到第二面的鍍膜質量；②、進出片室分隔在生產線的兩端，增加整條生產線的占地面積和凈化車間面積造成成本的提升；③、現在生產線多用平面磁控濺射源，靶材的利用率低，減少生產線可連續運行時間，另外平面靶『噴灰』現象較嚴重，影響了膜層沉積質量；④、這種生產線由于兩端都有真空過渡室和進〔出〕片室，造成生產線長度和相應配套真空泵組的增加使得成本進一步的提升；⑤、生產線上沒有配備相應的膜層質量在線檢測儀器，使得產品的質量缺陷得不到及時的反饋和糾正，造成良品率的降低。

為了獲得合格的減反射〔AR〕膜玻璃，除了嚴格按薄膜光學基本原理預先設計鍍膜性能〔膜層材料、膜層排列方式、膜層數量、膜層厚度等〕外，應該認識到即使同一材料在不同的成膜工藝參數條件下沉積，膜層材料的折射率等參數會出現波動。另外，在多層膜沉積過程中由于相鄰兩膜層之間界面并不是理想的幾何界面，而是存在一界面層，其折射率可能會出現較大的變化，哪個膜層越薄，這種界面對其產生的影響可能越大。因此控制膜層的均勻性，保持穩定的膜間界面是至關重要的。這就對鍍膜設備提出了更高的要求，需要對鍍膜線的結構及濺射源等部件進行更為合理的設計。

發明內容

本發明的目的是提供一種新型柱狀磁控濺射陰極制備AR膜專用生產線，通過對生產線的優化設計，克服了現有生產線存在的不足。

實現本發明的技術方案是：這種生產線包括磁控濺射制備AR膜生產線，其中所述生產線包括有上片、卸片百級凈化間，進出片真空室、過渡真空室、高真空室、鍍膜真空室、折返前過渡真空室、折返真空室和設置在真空室內的基片架進、出片傳送裝置，傳送裝置上設有基片架，基片架上固定有基片，其中在進出片真空室設置有進片旋轉門閥和出片旋轉門閥，在進出片真空室與過渡真空室之間、高真空室與鍍膜室之間分別設置有高真空插板門閥，在各真空室的法蘭上分別開有窄型法蘭口；在所有鍍膜真空室的進片傳送裝置與出片傳送裝置之間設置帶抽氣口的防濺射隔板；在鍍膜真空室上設置有兩套柱狀磁控濺射源〔根據具體的工藝和產品需求可以增減柱狀磁控濺射源的數量〕；高真空室內設置有低溫氣體吸附冷板；在折返前過渡真空室設置有膜層質量在線檢測儀器；進出片真空室和折返真空室分別連接有初抽真空泵組；高真空室、鍍膜真空室、過渡真空室、折返真空室分別配置有分子泵。

該技術方案還包括：

所述濺射源包括中頻柱狀旋轉磁控濺射源。

所述折返前過渡真空室設置有鍍膜膜層質量在線檢測儀器。

所述鍍膜真空室的兩側分別設置有濺射源〔或分子泵〕。

所述鍍膜真空室內帶抽氣口的防濺射隔板上設有冷卻水管。

所述折返真空室的基片架從進片傳送裝置平移或回轉到出片傳送裝置。

所述進出片真空室與過渡真空室間的高真空插板門閥開啟真空度設置為低于10Pa。

所述高真空室在鍍膜前的背景真空度為低于10^-4Pa。

所述鍍膜真空室、折返前過渡真空室、折返真空室在鍍膜前的背景真空度為低于3×10^-3Pa。

所述鍍膜真空室可以根據產品和工藝要求增減。