[發明專利]太陽能電池激光標刻設備有效
| 申請號: | 200710072812.7 | 申請日: | 2007-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN101222001A | 公開(公告)日: | 2008-07-16 |
| 發明(設計)人: | 李毅;李全相 | 申請(專利權)人: | 李毅 |
| 主分類號: | H01L31/20 | 分類號: | H01L31/20;B23K26/00;G05B19/04 |
| 代理公司: | 深圳市毅穎專利商標事務所 | 代理人: | 張藝影;李奕暉 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 激光 設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種專用于非晶硅薄膜太陽能電池生產的激光標刻設備,屬于激光標刻、定位技術領域。
背景技術
目前,激光標刻技術已廣泛的應用在非晶硅薄膜太陽能電池生產中,激光標刻系統所采用的加工技術大概分為以下類型:一類是固定激光輸出標刻頭,把待加工的非晶硅太陽能電池片,簡稱基片放置在X-Y交聯絲桿系統載物工作平臺上,通過X-Y交聯絲桿系統的移動,完成在基片上的圖形標刻。第二種類型,是將激光輸出標刻頭固定在分開的X-Y絲桿系統的X絲桿上,載物工作平臺固定在分開的X-Y絲桿系統的Y絲桿上,通過X、Y絲桿系統的聯動,完成在基片上的圖形標刻。以上所說的兩種激光加工類型,其中傳統的技術存在的不足表現在以下方面:一是只能刻直線和簡單的曲線圖形,無法完成復雜圖形的標刻;再則標刻速度慢,線速度一般在30m/min以內。中國專利號ZL?88109264《一種導電圖形的制備方法》公開的是采用激光劃線在鈉鈣玻璃基底上產生圖形,可運用于液晶裝置。使玻璃基底上形成的一層ITO膜的一些部分通過激光脈沖照射而被除去。專利號ZL?2004200578?10.2《激光自動切割機的運行裝置》涉及一種滿足在船舶制造流程中放樣用的激光切割機。專利號ZL?200420?121870.6《激光自動切割機的運行裝置》所涉及的是激光自動切割機,為了克服在高速度運動時所造成的結構振動較小,使激光束輸出穩定,在大行程激光切割的環境下進行高速、精密加工,分別使用了不同的兩個工作臺,就整體結構而言,相對來說較復雜。
與此不同的是,本發明激光標刻的非晶硅薄膜太陽能電池(以下可以簡稱薄膜電池或電池)屬于太陽能電池第二代薄膜電池產品。由于制造出來的薄膜電池幅面越來越大,而先前激光標刻的薄膜電池產品,基本是由直線構成的簡單圖形,現有技術不能標刻大幅面薄膜電池和特殊圖形。
發明內容
本發明目的之一,克服上述現有技術中所存在不足,使機械平臺移動時不會影響激光掃描。由程序控制,使載物平臺移動與激光標刻分時工作,能高速加工,規模化生產,降低生產成本。
另一個目的,使設備加工更為靈活,激光標刻內部結構復雜的異形非晶硅太陽能電池,滿足對薄膜電池的特殊圖形以及外形結構的需要。
還有一個目的,利用大幅面激光標刻系統,實現在基片內的任一位置打標,標刻文字和圖案。本發明以下所說的待刻基片是非晶硅薄膜太陽能電池或簡稱基片。
本發明的任務是通過以下技術解決方案來實現的:由計算機控制的機械工作臺和激光發生器,其特征還包括計算機程序分時控制:
基片工作臺,沿X或Y軸向平移,工作臺懸臂上的激光振鏡掃描系統靜止不動;到達標刻區域后
啟動激光振鏡掃描系統,導入標刻圖形,在標刻區域內標刻基片。
激光振鏡掃描系統中振鏡聚焦透鏡焦距75cm可調,基片工作臺是X-Y軸精密電控平移工作臺。
技術解決方案在于機械工作臺上的激光振鏡掃描系統在Z軸導軌上的高度可調,可以更換激光頭與激光發生器相匹配。
按照本發明的技術解決方案:由激光器輸出激光進入激光振鏡掃描系統,經一對反射鏡反射后,再反射到聚焦透鏡,通過光路激光束聚焦到標刻區域標刻基片。
激光振鏡掃描系統的反射鏡由振鏡電機控制其偏轉角度,而振鏡電機的偏轉是由計算機通過D/A卡來控制,使聚光斑按照計算機設定的圖案、文字、及直線軌跡運行。
按照本發明的技術解決方案是:所說的基片工作臺,根據基片幅面大小,可以是多幅面標刻的X-Y交聯平臺或是單幅面標刻的單向平臺。
按照本發明的實施方案:所說旋臂激光振鏡掃描系統,可以是紅外光激光振鏡標刻系統或激光振鏡綠激光標刻系統。激光振鏡頭可以串聯也可以并聯。激光振鏡掃描系統中,可以匹配光纖激光器或泵浦綠激光器。
本發明的積極效果表現在,用計算機控制,激光振鏡掃面與加工平臺分時工作,通過D/A卡控制,激光標刻圖案、文字及直線。通過激光定位,減少了機械平臺工作時間,使激光功率輸出穩定、可靠,工作效率高。標刻最大線速度400m/min,是傳統激光標刻速度的5-15倍。
附圖說明
圖1、是本發明的一個實施例圖。
圖1-1、是本發明大幅面薄膜電池基片分區示意圖。
圖2、是本發明標刻的單元電池背面示意圖。
圖3、是圖1中A-A剖面圖。
圖3-1、是3中激光振鏡掃描系統工作原理圖。
圖4、是本發明標刻的前電極7平面示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





