[發明專利]非晶鈮金屬氧化物薄膜及其熱氧化蒸鍍技術無效
| 申請號： | 200710066258.1 | 申請日： | 2007-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN101397648A | 公開（公告）日： | 2009-04-01 |
| 發明（設計）人： | 周效鋒 | 申請（專利權）人： | 曲靖師范學院 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/26 |
| 代理公司： | 云南省曲靖市專利事務所 | 代理人： | 許永昌 |
| 地址： | 655011云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非晶鈮 金屬 氧化物 薄膜 及其 氧化 技術 | ||
【權利要求書】：
1、一種非晶鈮金屬氧化物薄膜，其特征在于由過渡金屬鈮和氧結合形成的并由陣列的納米棒或納米錐結構組成非晶狀態存在的氧化物薄膜。
2、根據權利要求1所述的一種非晶鈮金屬氧化物薄膜其特征在于得到的非晶鈮氧化物薄膜，利用高分辨率掃描電子顯微鏡獲得的膜層結構是陣列的、準直的直徑在20～100nm的納米棒或納米錐組成，而這些納米錐或納米棒又是由10±5納米直徑的團簇組成。
3、一種非晶鈮金屬氧化物薄膜的熱氧化蒸鍍技術，其特征在于利用通電電阻發熱原理直接使用鈮片作為蒸發源的直接蒸發方法，設定在具有1.0～9.0Pa真空度的亞氧環境中。
4、根據權利要求3所述的一種非晶鈮金屬氧化物薄膜的熱氧化蒸鍍技術，其特征在于基片溫控是采用自然蒸發加熱方式，通過控制基片與源片的距離在1.5～2.5cm間，基片的溫度控制在100～350℃溫區，獲得非晶結構鈮金屬氧化物納米結構膜。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于曲靖師范學院，未經曲靖師范學院許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710066258.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
