[發(fā)明專利]小晶粒低硅/鋁比的X沸石的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710064099.1 | 申請日: | 2007-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN101254928A | 公開(公告)日: | 2008-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王輝國;王德華;馬劍鋒;郁灼 | 申請(專利權(quán))人: | 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油化工科;學(xué)研究院 |
| 主分類號: | C01B39/22 | 分類號: | C01B39/22 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王景朝;龐立志 |
| 地址: | 100029*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶粒 制備 方法 | ||
1.?一種制備晶粒尺寸為0.2~1.2微米、氧化硅/氧化鋁摩爾比為2.0~2.3的X沸石的方法,包括如下步驟:
(1)將含硅化合物、含鋁化合物、氫氧化鈉和水按(12~20)Na2O∶Al2O3∶(8~20)SiO2∶(140~320)H2O的摩爾比混合均勻,15~50℃老化制成導(dǎo)向劑,
(2)將含硅化合物、氫氧化鈉、水和硫酸溶液或水溶性硫酸鹽混合,攪拌下加入含鋁化合物制成凝膠,向所得凝膠中加入(1)步制備的導(dǎo)向劑,得到摩爾組成為(2.5~5.0)Na2O∶Al2O3∶(2.4~3.0)SiO2∶(0.5~2.0)SO42-∶(80~200)H2O的混合物,然后于80~120℃靜止晶化0.5~3.0小時,再水洗、過濾、干燥。
2.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于(1)步制備導(dǎo)向劑的老化溫度為20~40℃,老化時間為2~30小時。
3.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于(1)步制備的導(dǎo)向劑的摩爾組成為(15~20)Na2O∶Al2O3∶(10~18)SiO2∶(200~320)H2O。
4.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于(2)步所述混合物的摩爾組成為(3.5~5.0)Na2O∶Al2O3∶(2.8~3.0)SiO2∶(0.5~1.5)SO42-∶(140~180)H2O。
5.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于(2)步中所用的硫酸溶液的濃度為0.5~4.0mol/L。
6.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于所述的水溶性硫酸鹽選自硫酸鈉、硫酸鋁、硫酸鎂或硫酸銨。
7.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于(2)步中加入的導(dǎo)向劑為反應(yīng)總混合物的0.2~5.0質(zhì)量%。
8.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于所述的含硅化合物選自硅酸鈉或硅溶膠。
9.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于所述的含鋁化合物選自鋁酸鈉或偏鋁酸鈉。
10.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于(2)步中加入導(dǎo)向劑后制備晶化前混合物的溫度為10~35℃。
11.?按照權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于(2)步所述的晶化時間為1.0~2.0小時。
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