[發明專利]在納米棒的氧化鋅上生長無支撐的氮化鎵納米晶的方法無效
| 申請號： | 200710063881.1 | 申請日： | 2007-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN101245491A | 公開（公告）日： | 2008-08-20 |
| 發明（設計）人： | 胡衛國;魏鴻源;焦春美;劉祥林 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B25/18 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 氧化鋅 生長 支撐 氮化 方法 | ||
1.一種在納米棒的氧化鋅上生長無支撐的氮化鎵納米晶的方法，其特征在于，包含以下步驟：
步驟1：取一襯底，表面清洗后，放入金屬有機物化學氣相沉積設備的反應室中；
步驟2：使用金屬有機物化學氣相沉積方法，在襯底上生長納米棒的ZnO層，以用來限制后續生長GaN的二維生長；
步驟3：用去離子水沖洗所生長的納米棒的ZnO層，以清除表面的污染；
步驟4：在反應室中，采用金屬有機物化學氣相沉積方法，使用純N2載氣在沖洗后的納米棒的ZnO層上生長GaN納米晶層，納米晶的尺寸取決于納米棒的ZnO層的直徑；
步驟5：在反應室中，使用N2+H2混合載氣刻蝕納米棒的ZnO層，完成無支撐的GaN納米晶層的生長。
2.根據權利要求1所述的在納米棒的氧化鋅上生長無支撐的氮化鎵納米晶的方法，其特征在于：其中所述的襯底是C面藍寶石襯底。
3.根據權利要求2所述的在納米棒的氧化鋅上生長無支撐的氮化鎵納米晶的方法，其特征在于：其中納米棒的ZnO層是取向一致的納米棒，生長方向是沿著ZnO層<0002>晶軸，并且ZnO層<0002>晶軸平行于藍寶石<0002>晶軸。
4.根據權利要求1所述的在納米棒的氧化鋅上生長無支撐的氮化鎵納米晶的方法，其特征在于：其中使用N2+H2混合載氣刻蝕納米棒的ZnO層是通過改變反應室的N2+H2混合載氣的成分、溫度和刻蝕時間，從而控制ZnO層的刻蝕程度，最終獲得無支撐的GaN納米晶層。
5.根據權利要求1所述的在納米棒的氧化鋅上生長無支撐的氮化鎵納米晶的方法，其特征在于：其步驟5中反應室的溫度是600℃至1100℃，刻蝕時間是30分鐘至1小時。
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