[發明專利]一種取向三氧化鎢納米薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200710054545.0
• 申請日: 2007-06-08
• 公開（公告）號: CN101318705A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 陳德良;張銳;王海龍;盧紅霞;許紅亮
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: C01G43/01
• 分類號: C01G43/01;C03C17/25;C04B41/85;B82B3/00
• 代理公司: 鄭州聯科專利事務所（普通合伙）
• 代理人: 時立新

1.一種取向三氧化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：以單晶三氧化鎢納米片的乙醇懸浮液為前驅物，制得由三氧化鎢納米片疊加而成的沿[002]晶向取向的三氧化鎢納米薄膜；

所述的制備方法具體如下：將三氧化鎢納米片分散于無水乙醇中；所得混合物先超聲處理5-10min，然后磁力攪拌3-5小時，以得到可較長時間穩定的單晶三氧化鎢納米片的乙醇懸浮液；經清洗、干燥后的基底水平放置于通風環境中，每次用取液器移取50-100μl制得的單晶三氧化鎢納米片的乙醇懸浮液滴加于基底之上，所述的單晶三氧化鎢納米片的乙醇懸浮液的質量濃度為1-5g/l，然后讓其自然揮發除去乙醇溶劑；重復上述“滴加-揮發”過程，直到滿足膜厚的要求，即可制得所需要的薄膜。

2.根據權利要求1所述的取向三氧化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：所述的單晶三氧化鎢納米片的乙醇懸浮液分批滴加到水平放置的基底上，每批滴加量為50-100μl，然后室溫下自然干燥30-60min。

3.根據權利要求1所述的取向三氧化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：所述的基底材料是玻璃片、陶瓷片、金屬片或TEM銅網。

4.根據權利要求1所述的取向三氧化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：所制得的三氧化鎢納米薄膜沿ab平面鋪展，c-軸為膜厚方向。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的取向三氧化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：所述的三氧化鎢納米片為單斜相JCPDS?43-1035，納米片的大小為(100-800)nm×(100-800)nm，厚度為5-40nm，厚度方向為[002]。

6.根據權利要求5所述的取向三氧化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：所述的三氧化鎢納米片的BET比表面積達100-250m²/g。