[發明專利]氙氣中雜質的色譜分析方法

有效

• 申請號: 200710053332.6
• 申請日: 2007-09-21
• 公開（公告）號: CN101126750A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 熊萬紅;李禾;謝欣;胡潔
• 申請（專利權）人: 武漢鋼鐵（集團）公司
• 主分類號: G01N30/88
• 分類號: G01N30/88;G01N30/02
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司
• 代理人: 段姣姣

1.氙氣中雜質的色譜分析方法，其步驟包括：

1)、首先分析氙氣中的H₂、O₂、N₂、Kr、CO、CO₂、CH₄、N₂O雜質步驟：

a)選用氦底氣為標準氣及PDD色譜儀；

b)設定PDD色譜條件：

爐溫：60～90℃，運行時間：20～15分鐘，檢測器溫度：130～200℃，閥箱溫度75～90℃，進入分子篩色譜柱的載氣壓力：0.23～0.29MPa，進入高分子微球色譜柱的載氣壓力：0.3～0.38MPa；

d)PDD工作條件穩定后進行分析；

2)分析氙氣中的SF₆雜質，其步驟：

a)設定色譜條件：

爐溫：70℃，運行時間：17分鐘，檢測器溫度：130～160℃，閥箱溫度75～90℃，進入高分子微球色譜柱的載氣壓力：0.3～0.38MPa；

b)在氣相色譜分析儀運行到8～10分鐘，將氙氣導入分子篩色譜柱，在運行到10～12分鐘，切斷進入分子篩色譜柱的氙氣，分析雜質SF₆；

3)分析氙氣中的C₂F₆雜質，其步驟：

a)設定色譜條件：

爐溫：30～50℃，運行時間：25～17分鐘，檢測器溫度：130～200℃，閥箱溫度75～90℃，進入高分子微球色譜柱的載氣壓力：0.3～0.38MPa；

b)待工作條件穩定后進行分析；

4)采用FID色譜分析儀分析雜質：CH₄、C₂H₄、C₂H₆、C₃H₈，其步驟：

a)選用標準氣

b)設定FID色譜儀工作條件：

爐溫：90～120℃，運行時間：8～4分鐘，檢測器底座溫度：190～210℃，Al₂O₃色譜柱的載氣壓力：0.16～0.2MPa；空氣流量∶氫氣∶載氣＝1～10∶1∶1；

c)分析雜質CH₄、C₂H₄、C₂H₆、C₃H₈含量。

2.如權利要求1所述的氙氣中雜質的色譜分析方法，其特征在于：分析氙氣中的SF₆、C₂F₆雜質的色譜條件：爐溫35～43℃，運行時間22～18分鐘。

3.如權利要求1所述的氙氣中雜質的色譜分析方法，其特征在于：在11～12分鐘切斷進入分子篩的氙氣。