[發(fā)明專利]一種Zn4Sb3基塊體熱電材料的超高壓冷壓成型方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710052482.5 | 申請日: | 2007-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN101073831A | 公開(公告)日: | 2007-11-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 趙文俞;童宇;王要娟;翟鵬程;唐新峰;張清杰 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢理工大學 |
| 主分類號: | B22F3/02 | 分類號: | B22F3/02;B22F9/04;H01L35/34 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 | 代理人: | 王守仁 |
| 地址: | 430070湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 zn sub sb 塊體 熱電 材料 超高壓 成型 方法 | ||
1.一種Zn4Sb3基塊體熱電材料的制備方法,所述方法是一種Zn4Sb3基塊體熱電材料的超高壓冷壓成型方法,它是先在真空下熔融高純Zn粉、Sb粉和/或Te粉,冷凝結(jié)晶后得到單相β-Zn4Sb3基化合物的鑄體;爾后研磨、過篩得到單相β-Zn4Sb3基化合物的粉體;將所述粉體在室溫、30~35MPa下預壓5~10min,形成直徑為10~20mm、厚度為5~20mm的坯體;再將坯體置于六面頂超高壓設備中,并在室溫下通過控制加載和卸載過程的工藝參數(shù),使坯體冷壓成型并致密化,得到高致密度的單相β-Zn4Sb3基塊體熱電材料;所述加載和卸載過程的工藝參數(shù)為:加載速率為0.3~1.2GPa/min,保壓時間為3-120min,壓力范圍為2-10Gpa;卸載速率為0.3-1.2GPa/min,保壓時間為20min;所述單相β-Zn4Sb3基化合物名義組成為Zn4+xSb3-yTey,0≤x≤0.2,0≤y≤0.1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Zn4Sb3基塊體熱電材料的制備方法,其特征在于單相β-Zn4Sb3基化合物的鑄體的制備方法是:在真空度大于10-1MPa下,將Zn粉、Sb粉和/或Te粉密封于真空石英管中,以0.5~5K/min的升溫速率從室溫升至1023K,在1023K下真空熔融2~4h,然后以隨爐冷卻或大于0.5K/min的冷凝結(jié)晶速率從1023K降至室溫,得到所需的單相β-Zn4Sb3基化合物的鑄體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Zn4Sb3基塊體熱電材料的制備方法,其特征在于:原料Zn粉、Sb粉和Te粉的純度分別為99.999%、99.99%、99.99%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的Zn4Sb3基塊體熱電材料的制備方法,其特征在于單相β-Zn4Sb3基化合物的粉體制備方法是:將單相β-Zn4Sb3基化合物的鑄體研磨后,過200目篩,得到粒徑<74μm的單相β-Zn4Sb3基化合物的粉體。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢理工大學,未經(jīng)武漢理工大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710052482.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





