[發(fā)明專利]多晶硅原料低能耗提純制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710052244.4 | 申請日： | 2007-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN101122046A | 公開（公告）日： | 2008-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅應(yīng)明;郭力 | 申請（專利權(quán)）人： | 晶湛（南昌）科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B13/00 | 分類號： | C30B13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南昌洪達專利事務(wù)所 | 代理人： | 劉凌峰 |
| 地址： | 330013江西省南*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 原料 能耗 提純 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種多晶硅原料低能耗提純制備方法，其特征是制備方法如下：首先將經(jīng)還原處理的金屬硅粉碎，再用王水、氫氟酸等酸洗，酸洗后送入連熔爐熔融，連熔爐中間通入冷卻水管，進行水冷卻，采用充氮隔離空氣，使?fàn)t內(nèi)溫度形成水平溫度梯度和垂直溫度梯度，從連熔爐出來的硅材料進入?yún)^(qū)熔爐，使區(qū)熔爐內(nèi)形成區(qū)間溫度梯度，運用熱趨法排除硅碴，即可得到99.9999％純度的硅。
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