[發(fā)明專利]多層化合物合成爐裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710049885.4
• 申請日: 2007-08-31
• 公開（公告）號: CN101118111A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 侯仁義
• 申請（專利權(quán)）人: 侯仁義
• 主分類號: F27B5/02
• 分類號: F27B5/02;F27B5/06;C01B19/04
• 代理公司: 成都科海專利事務(wù)有限責(zé)任公司
• 代理人: 鄧?yán)^軒

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種多層化合物合成爐裝置，屬于化合物合成設(shè)備領(lǐng)域。

背景技術(shù)

隨著世界高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，世界高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)對半導(dǎo)體化合物的需求量增長迅速，目前半導(dǎo)體化合物的傳統(tǒng)生產(chǎn)方法與工藝存在生產(chǎn)成本高、生產(chǎn)的安全性差的缺點。特別是受到生產(chǎn)設(shè)備小的制約，無法實現(xiàn)半導(dǎo)體化合物產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，嚴(yán)重阻礙了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和微電子光電產(chǎn)業(yè)信息材料事業(yè)的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種多層化合物合成爐裝置，其特點是采用高溫耐火磚作為合成爐的保溫層，硅碳管作為加熱源，嚴(yán)格控制爐腔內(nèi)部的熱場溫度均勻分布，熱場溫度梯度≤±5℃/cm。

本發(fā)明的目的由以下技術(shù)措施實現(xiàn)：

多層化合物合成爐裝置的合成爐內(nèi)設(shè)保溫層、加熱絲、隔熱板和合成反應(yīng)管，合成爐的爐腔內(nèi)用隔熱板分隔為多個合成室，每個合成室內(nèi)放置多個合成反應(yīng)管，控制爐腔內(nèi)部的熱場溫度均勻分布，熱場溫度梯度≤±5℃/cm，每個合成室分隔獨立保證了合成過程的安全性。

多層化合物合成爐裝置用于碲化鎘、碲化鋅和碲化鉛的合成。

本發(fā)明具有如下優(yōu)點：

1、采用了多合成波合成技術(shù)；

2、多加熱源加熱技術(shù)；

3、采用智能溫度控制系統(tǒng)控制爐腔內(nèi)部熱場的溫度均勻分布，確保了設(shè)備的產(chǎn)能和安全性；

4、產(chǎn)品質(zhì)量高，純度高。

附圖說明

圖1為多層化合物合成爐裝置結(jié)構(gòu)示意圖

1.合成爐，2.保溫層，3.加熱絲，4.隔熱板，5.合成反應(yīng)管。

圖2為A-A剖視圖

具體實施方式

下面通過實施例對本發(fā)明進行具體的描述，有必要在此指出的是本實施例只用于對本發(fā)明進行進一步說明，不能理解為對本發(fā)明保護范圍的限制，該領(lǐng)域的技術(shù)熟練人員可以根據(jù)上述本發(fā)明的內(nèi)容作出一些非本質(zhì)的改進和調(diào)整。

實施例

本發(fā)明的多層化合物合成爐裝置具有結(jié)構(gòu)簡單，制造方便，如圖1所示。合成爐1內(nèi)設(shè)高溫耐火磚保溫層2，硅碳管作為加熱源，加熱源內(nèi)設(shè)加熱絲3，隔熱板4和合成反應(yīng)管5，合成爐的爐腔內(nèi)用隔熱板4分隔為多個合成室，每個合成室內(nèi)放置多個合成反應(yīng)管5，嚴(yán)格控制爐腔內(nèi)部的熱場溫度均勻分布，熱場溫度梯度≤±5℃/cm，每個合成室的分隔獨立保證了合成過程的安全性。