[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710047894.X
• 申請(qǐng)日: 2007-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN101431121A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李文男;郭文林;陳建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 展豐能源技術(shù)（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 王敏杰

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池的減反射膜，特別是一種太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法。

背景技術(shù)：

以前所使用的普遍方法是采用PECVD(高溫氣相化學(xué)沉積)，直接在擴(kuò)散完成后的硅片表面上進(jìn)行氮化硅沉積，氮化硅相對(duì)于較早的TiO₂有明顯的改善，因?yàn)榈枘ぶ懈缓琜H⁺]鍵，可以捕獲因表面結(jié)構(gòu)處理所產(chǎn)生缺陷的電子，減少表面復(fù)合中心的數(shù)量，提高太陽(yáng)能電池的輸出電流，但是由于[H⁺]鍵不是穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，容易脫離硅片表面，[H⁺]鍵脫離所產(chǎn)生的地方造成缺陷，影響太陽(yáng)能電池的性能，直觀地從數(shù)據(jù)說，這就是單層氮化硅減反射膜所造成太陽(yáng)能電池片輸出功率易衰減的主要原因。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明的目的在于提供一種太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法，主要解決上述現(xiàn)有單層減反射膜的電池片，功率不穩(wěn)定，容易衰減的技術(shù)問題，經(jīng)過雙層減反射膜處理，太陽(yáng)能電池的輸出功率的穩(wěn)定性有了明顯的提高。

為解決上述問題，本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于它包括如下步驟：

第一步，濕氧，即在高溫下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜；

第二步，PECVD沉積，即在第一步中做好的二氧化硅膜上進(jìn)行氮化硅沉積。

所述的太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該濕氧工藝的操作流程是：

(1)將擴(kuò)散好后的硅片放入擴(kuò)散爐中，等溫度升至指定溫度；

(2)開始通入氧氣，氧氣經(jīng)過去離子水的容器后，將水帶入爐體內(nèi)部；

(3)等反應(yīng)結(jié)束后，將其取出即可；

該濕氧工藝中的主要工藝參數(shù)是：

氧氣流量：1.5—1.7L/min；

溫度：500℃—700℃；

時(shí)間：4—6min。

所述的太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該濕氧工藝中的優(yōu)選工藝參數(shù)是：

氧氣流量：1.6L/min；

溫度：600℃；

時(shí)間：4—6min。

所述的太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該P(yáng)ECVD沉積工藝的具體操作步驟是：

(1)進(jìn)舟；

(2)慢抽真空；

(3)快抽真空；

(4)調(diào)壓，看爐管內(nèi)部壓力是否穩(wěn)定；

(5)備用1，預(yù)熱硅片；

(6)檢漏；

(7)調(diào)壓，檢漏后第一次調(diào)壓；

(8)調(diào)壓，檢漏后第二次調(diào)壓；

(9)淀積，試起輝；

(10)淀積，開始反應(yīng)；

(11)淀積，抽內(nèi)部反應(yīng)氣體；

(12)清洗，通氮?dú)猓?/p>

(13)清洗，關(guān)閉反應(yīng)氣體，繼續(xù)通氮?dú)猓?/p>

(14)抽真空，關(guān)閉所有閥門；

(15)充氮，恢復(fù)到大氣狀態(tài)；

(16)退舟，取片；

該P(yáng)ECVD操作工藝的主要工藝參數(shù)是：

硅烷：氨氣＝1：6—1：8；

溫度：360℃—440℃；

時(shí)間：12—13min。

所述的太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該P(yáng)ECVD操作工藝的優(yōu)選工藝參數(shù)是：

硅烷：氨氣＝1：7；

溫度：400℃；

時(shí)間：12—13min。

藉由上述方法，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1、本發(fā)明方法中的雙層減反射膜大大地增加了入射光在硅片表面反射的次數(shù)，進(jìn)而增加了硅片表面對(duì)光子吸收的幾率，提高了太陽(yáng)能電池的輸出電流。

2、本發(fā)明方法中的雙層減反射膜增加膜的均勻性。

具體實(shí)施方式：

本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法，其具體工藝步驟可參閱如下實(shí)施例。

實(shí)施例一：一種太陽(yáng)能電池的雙層減反射膜加工方法，具體步驟是：

第一步：濕氧，即先在擴(kuò)散好后的硅片表面進(jìn)行濕氧工藝，所謂濕氧工藝就是在高溫下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜。

具體步驟如下：

1.將擴(kuò)散好后的硅片放入擴(kuò)散爐中，等溫度升至指定溫度；

2.開始通入氧氣，氧氣經(jīng)過去離子水的容器后，將水帶入爐體內(nèi)部；

3.等反應(yīng)結(jié)束后，將其取出即可。

濕氧操作工藝的主要工藝參數(shù)是：

氧氣流量：1.5—1.7L/min，最佳值：1.6L/min；

溫度：500℃—700℃，最佳值：600℃；