[發明專利]一種太陽能電池的雙層減反射膜加工方法

無效

• 申請號: 200710047894.X
• 申請日: 2007-11-07
• 公開（公告）號: CN101431121A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 李文男;郭文林;陳建
• 申請（專利權）人: 展豐能源技術（上海）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 王敏杰

1、一種太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于它包括如下步驟：

第一步，濕氧，即在高溫下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜；

第二步，PECVD沉積，即在第一步中做好的二氧化硅膜上進行氮化硅沉積。

2、根據權利要求1所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該濕氧工藝的操作流程是：

(1)將擴散好后的硅片放入擴散爐中，等溫度升至指定溫度；

(2)開始通入氧氣，氧氣經過去離子水的容器后，將水帶入爐體內部；

(3)等反應結束后，將其取出即可；

該濕氧工藝中的主要工藝參數是：

氧氣流量：1.5—1.7L/min；

溫度：500℃—700℃；

時間：4—6min。

3、根據權利要求2所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該濕氧工藝中的優選工藝參數是：

氧氣流量：1.6L/min；

溫度：600℃；

時間：4—6min。

4、根據權利要求1或2或3所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該PECVD沉積工藝的具體操作步驟是：

(1)進舟；

(2)慢抽真空；

(3)快抽真空；

(4)調壓，看爐管內部壓力是否穩定；

(5)備用1，預熱硅片；

(6)檢漏；

(7)調壓，檢漏后第一次調壓；

(8)調壓，檢漏后第二次調壓；

(9)淀積，試起輝；

(10)淀積，開始反應；

(11)淀積，抽內部反應氣體；

(12)清洗，通氮氣；

(13)清洗，關閉反應氣體，繼續通氮氣；

(14)抽真空，關閉所有閥門；

(15)充氮，恢復到大氣狀態；

(16)退舟，取片；

該PECVD操作工藝的主要工藝參數是：

硅烷：氨氣＝1：6—1：8；

溫度：360℃—440℃；

時間：12—13min。

5、根據權利要求4所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該PECVD操作工藝的優選工藝參數是：

硅烷：氨氣＝1：7；

溫度：400℃；

時間：12—13min。