[發(fā)明專利]晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710047828.2 | 申請(qǐng)日: | 2007-11-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101431037A | 公開(公告)日: | 2009-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬俊;賴金榜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 宏茂微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
| 地址: | 200000上海*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓級(jí) 封裝 結(jié)構(gòu) 制作方法 | ||
1.一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于包括:
提供一晶圓,該晶圓具有多個(gè)焊墊以及一保護(hù)層,其中該保護(hù)層具有多個(gè)第一開口以將該些焊墊暴露;
進(jìn)行一凸塊制程,在各該焊墊上分別形成一凸塊;以及
于各該凸塊的一頂面上分別形成一凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,該凸塊制程包括:
于各該焊墊上形成一球底金屬層;以及
于各該球底金屬層上形成一凸塊。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,該些凸塊的材質(zhì)包括金。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,形成該些凹槽的方法包括:
在該些凸塊以及該保護(hù)層上形成一圖案化罩幕,該圖案化罩幕具有多個(gè)第二開口,暴露出該些凸塊的一部分區(qū)域;
借由該圖案化罩幕移除該些第二開口所暴露出的該些凸塊,在各該凸塊的該頂面上分別形成該凹槽;以及
移除該圖案化罩幕。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,各該凹槽包括多個(gè)溝渠。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,該些溝渠的深度介于0至20微米之間。
7.如權(quán)利要求5所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,該些溝渠的截面積介于0至30平方微米之間。
8.如權(quán)利要求5所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,該些溝渠平行排列。
9.如權(quán)利要求5所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,該些溝渠還包括多個(gè)第一溝渠與多個(gè)第二溝渠,而該些第一溝渠的延伸方向與該些第二溝渠的延伸方向交錯(cuò)。
10.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,各該凹槽包括多個(gè)凹陷。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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