[發明專利]液晶顯示裝置陣列基板的制造方法

無效

• 申請號: 200710047577.8
• 申請日: 2007-10-30
• 公開（公告）號: CN101424835A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 朱棋鋒
• 申請（專利權）人: 上海廣電NEC液晶顯示器有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G03F7/00;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/027
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 薛 琦

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示裝置陣列基板的制造方法，特別涉及可降低源極和漏極短路、漏極走線斷開發生率的陣列基板制造方法。

背景技術

目前液晶顯示裝置陣列基板的制造業中，采用半曝光技術的4層掩模板曝光的生產線上，采用一塊漏極(Drain)和硅島(Island)掩模板對基板進行曝光同時形成硅島和薄膜晶體管的源極(Source)、漏極圖案。該曝光方式采用狹縫掩模技術(Gray?Tone?Mask)對薄膜晶體管溝道處進行半曝光、顯影后溝道處光刻膠(Photoresist，PR)殘膜直接決定薄膜晶體管溝道的品質，所以不易控制的半曝光工藝也就成為決定薄膜晶體管品質的關鍵因素。也就是說，這種曝光方式雖然節約一層光掩模的時間和經濟投入，但是存在難以控制的工程過程。如何控制好顯影后溝道處殘膜厚度是生產管控的重點，超出管控范圍上限的在制量產品容易形成源極-漏極短路(S-D?Short)，超出管控范圍下限的在制量產品容易溝道斷開或半斷開而造成K-Mura現象(顯示不均的一種)，所以超出管控范圍的在制量產品需要進行特別的處理——漏極/硅島-光刻膠(Drain/Island-Photoresist，簡稱D/I-PR)再加工處理。然而，由于D/I-PR作業的特殊性，一旦采用目前原有流程進行D/I-PR再加工，極易引發大量漏極(Drain)走線斷開，直接導致對象批次產品不良高發。

現有液晶顯示裝置陣列基板的制造方法如下：源漏極金屬膜濺射——D/I-PR(當殘膜厚度合格)——第一次濕刻——硅島和光刻膠干刻——第二次濕刻——溝道干刻——剝離光刻膠，從源漏極金屬膜到D/I-PR工序間停止時間將被作為評價基板新鮮度的一項重要指標，停止時間越長，被認為新鮮度越差，其光刻膠與基板的密著性(密著性：指能使光刻膠與基板牢固附著、密實而不龜裂的性能)也隨之劣化，反之亦然。密著性不佳會導致濕刻過程中刻蝕液從光刻膠和基板間滲入，從而將有光刻膠覆蓋本不應該刻蝕的漏極走線斷開，形成漏極走線斷開。再加工量產品由于基板新鮮度不夠，基板與光刻膠的密著性極差，在濕刻過程中刻蝕液滲入到基板內，將漏極走線斷開刻斷。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種液晶顯示裝置陣列基板的制造方法，通過該制造方法降低源極和漏極短路、漏極走線斷開的發生率。

為達到上述目的，本發明提供一種液晶顯示裝置陣列基板的制造方法，該液晶顯示裝置陣列基板包括一玻璃基板，依次形成于該玻璃基板上的柵極、絕緣層、源漏極金屬膜、光刻膠，其中，該制造方法包括以下步驟：對涂布光刻膠后的液晶顯示裝置陣列基板進行顯影；對顯影后的液晶顯示裝置陣列基板進行第一次濕刻；對第一次濕刻后的液晶顯示裝置陣列基板進行剝離光刻膠和D/I-PR再加工；D/I-PR再加工后進行硅島和光刻膠的干刻；然后進行第二次濕刻；對第二次濕刻后的液晶顯示裝置陣列基板進行溝道干刻。

本發明由于采用了上述的技術方案，使之與現有技術相比，具有以下的優點和積極效果：本發明的液晶顯示裝置陣列基板的制造方法不增加再加工流程的工序，僅通過改變工序順序，有效達到了降低再加工產品漏極走線斷開發生率和源極-漏極短路的目的，從而在未增加產品作業時間和成本前提下提高了產品良率。

附圖說明

圖1為本發明液晶顯示裝置陣列基板的顯影后示意圖；

圖2為本發明液晶顯示裝置陣列基板的第一次濕刻后示意圖；

圖3為本發明液晶顯示裝置陣列基板的D/I-PR再加工后示意圖；

圖4為本發明液晶顯示裝置陣列基板的硅島和光刻膠干刻后示意圖；

圖5為本發明液晶顯示裝置陣列基板的第二次濕刻后示意圖；

圖6為本發明液晶顯示裝置陣列基板的溝道干刻后示意圖。

具體實施方式

以下將結合附圖對本發明液晶顯示裝置陣列基板的制造方法作進一步的詳細描述。