[發明專利]一種可提高成品率的光罩有效
| 申請號: | 200710046838.4 | 申請日: | 2007-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN101408723A | 公開(公告)日: | 2009-04-15 |
| 發明(設計)人: | 劉慶煒 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人: | 屈 蘅;李時云 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 成品率 | ||
技術領域
本發明涉及光罩,尤其涉及一種可提高成品率的光罩。
背景技術
光刻是制作半導體器件和集成電路的關鍵工藝,而使用質量合格的光罩進行光刻是光刻工藝順利進行的先決條件。隨著半導體器件特征尺寸的減小,在進行光刻時光罩上一些孤立器件圖形的工藝窗口就很小,如此將會影響該孤立器件的光刻效果,為擴大該些孤立器件圖形的工藝窗口,通常會在該孤立器件圖形的周邊設置一些條狀的散射條紋。在制造光罩時,需先在光罩的基板上涂覆光刻膠,然后再光刻出半導體器件圖形(包括孤立器件圖形和非孤立器件圖形)和散射條紋,但由于該散射條紋的寬度只有光刻波長(現在通常使用193納米)的1/5至1/4,故承載有該散射條紋圖形的光刻膠易發生剝離或倒塌,從而影響該散射條紋的形狀,并大大影響光罩的成品率。
因此,如何提供一種可提高成品率的光罩以方便加工散射條紋且提高光罩的成品率,已成為業界亟待解決的技術問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種可提高成品率的光罩,通過所述光罩可降低制造工藝難度,并可大大提高光罩的成品率。
本發明的目的是這樣實現的:一種可提高成品率的光罩,其上具有至少一孤立器件圖形和多個設置在該孤立器件圖形周圍且用于增大其工藝窗口的散射條紋,該散射條紋具有一條狀本體,該條狀本體兩側邊上設置有多個支腳。
在上述的可提高成品率的光罩中,該支腳包括設置在條狀本體兩末端的兩末端支腳對和多個設置在兩末端支腳對間及條狀本體上的內部支腳對。
在上述的可提高成品率的光罩中,該末端支腳對由兩第一長方塊組成,該兩第一長方塊的長邊對稱設置在該條狀本體末端的兩側邊上。
在上述的可提高成品率的光罩中,該第一長方塊的長為20至40納米,寬為4至5納米。
在上述的可提高成品率的光罩中,該內部支腳對由兩第二長方塊組成,該兩第二長方塊的寬邊對稱設置在該條狀本體兩側邊上。
在上述的可提高成品率的光罩中,該第二長方塊的長為4至5納米,寬為2至3納米。
在上述的可提高成品率的光罩中,該條狀本體的寬度為40至50納米。
在上述的可提高成品率的光罩中,該光罩上還具有非孤立器件圖形。
與現有技術中光罩上的散射條紋僅具條狀本體而造成制造工藝困難且成品率不高相比,本發明的可提高成品率的光罩在該散射條紋的條狀本體的兩側邊上設置有多個支腳,如此在光刻該些散射條紋時,承載該散射條紋圖形的光刻膠就不易倒塌或脫落,從而降低了工藝難度,大大提高了光罩的成品率。
附圖說明
本發明的可提高成品率的光罩由以下的實施例及附圖給出。
圖1為本發明的可提高成品率的光罩的結構示意圖;
圖2為圖1中的散射條紋的放大示意圖。
具體實施方式
以下將對本發明的可提高成品率的光罩作進一步的詳細描述。
參見圖1,本發明的可提高成品率的光罩1上具有至少一孤立器件圖形10、非孤立器件11、12和13,所述孤立器件圖形10周邊設置有多個用于增大其工藝窗口的散射條紋14。在本實施例中,以所述光罩1上具有一孤立器件圖形10、以所述孤立器件圖形10左右各設置有一散射條紋14為例進行說明。
參見圖2,結合參見圖1,圖2顯示了圖1中散射條紋14的放大圖,如圖所示,所述散射條紋14具有一條狀本體140和多個設置在所述條狀本體140兩側邊上的支腳,所述支腳包括設置在條狀本體兩末端的兩末端支腳對141和多個設置在兩末端支腳對141間及條狀本體140上的內部支腳對142。
在本實施例中,所述條狀本體140的寬度為40至50納米;所述末端支腳對141分別由兩第一長方塊141a和141b組成,所述兩第一長方塊141a和141b的長邊對稱設置在所述條狀本體140末端的兩側邊上,所述第一長方塊的長為20至40納米,寬為4至5納米;所述支腳包括四個設置在兩末端支腳對141間及條狀本體140上的內部支腳對142,所述內部支腳對142由兩第二長方塊142a和142b組成,所述兩第二長方塊142a和142b的寬邊對稱設置在所述條狀本體140兩側邊上,所述第二長方塊的長為4至5納米,寬為2至3納米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710046838.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半色調掩模板及其制造方法
- 下一篇:一種USB連接器保護蓋
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





