[發明專利]電容器、硅基液晶顯示器及制作方法

有效

• 申請號: 200710046497.0
• 申請日: 2007-09-26
• 公開（公告）號: CN101398578A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 劉偉;傅靜;毛劍宏;韓軼男
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種硅基液晶顯示器的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：在帶有像素開關電路層的半導體基底上形成作為電容器第一電極的光屏蔽層及與光屏蔽層隔絕的連接鏡面墊層和覆蓋光屏蔽層及連接鏡面墊層的氧化硅層，所述氧化硅層還填充有光屏蔽層及連接鏡面墊層的間隙，所述氧化硅層表面對著所述間隙處產生有凹槽；

在所述氧化硅層表面形成有機抗反射層，所述有機抗反射層填充所述凹槽；

依次去除所述有機抗反射層和氧化硅層，所述間隙處形成有小凸起；

平坦化所述小凸起，使填充于光屏蔽層及連接鏡面墊層間隙的氧化硅層具有光滑表面；

在光屏蔽層、連接鏡面墊層和氧化硅層所組成的光滑表面上形成絕緣層，所述絕緣層的厚度范圍為350埃至450埃；

在絕緣層上形成導電保護層，防止后續刻蝕絕緣層的等離子體損傷絕緣層；

刻蝕導電保護層和絕緣層，形成露出連接鏡面墊層的開口；

形成有所述開口后，接著在導電保護層上形成微反射鏡層，所述微反射鏡層同時填充所述開口；

其中，微反射鏡層作為電容器的第二電極，通過開口與連接鏡面墊層相電連接；并且，所述微反射鏡層與金屬-氧化物-半導體場效應管的源端相電連接，所述光屏蔽層接地。

2.根據權利要求1所述硅基液晶顯示器的制作方法，其特征在于，所述導電保護層的材料為鈦、氮化鈦或鈦和氮化鈦疊層。

3.根據權利要求2所述硅基液晶顯示器的制作方法，其特征在于，所述導電保護層的厚度為50埃～500埃。

4.根據權利要求3所述硅基液晶顯示器的制作方法，其特征在于，所述形成導電保護層的方法為物理氣相沉積法。

5.根據權利要求4所述硅基液晶顯示器的制作方法，其特征在于，刻蝕導電保護層及絕緣層的方法為反應離子刻蝕。