[發明專利]濕法蝕刻裝置及方法無效

申請號：	200710046488.1	申請日：	2007-09-26
公開（公告）號：	CN101397667A	公開（公告）日：	2009-04-01
發明（設計）人：	廖世保;顏崧義;冉琦;榮楠	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
主分類號：	C23F1/08	分類號：	C23F1/08;C23F1/46
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司	代理人：	逯長明
地址：	201203***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	濕法蝕刻裝置方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及濕法蝕刻工藝，特別涉及濕法蝕刻裝置及相應的濕法蝕刻方法。

背景技術

隨著半導體工藝的發展，半導體芯片的面積越來越小，芯片內的線寬也不斷縮小，因此半導體工藝能力受到的考驗也越來越大，工藝的精準度與工藝變異的控制也變得更加重要。在制造半導體芯片的工藝中，比較重要的就是蝕刻工藝。在制造半導體芯片的過程中，定義芯片內功能器件的大小，制造通孔等工藝都會使用到蝕刻。因而，蝕刻的質量會直接影響到芯片的性能。

目前，蝕刻工藝有兩大類：濕法蝕刻和干法蝕刻。其中濕法蝕刻有硅濕法蝕刻、二氧化硅濕法蝕刻、鋁膜濕法蝕刻、淀積氧化物濕法蝕刻、氮化硅濕法蝕刻、濕法噴射蝕刻以及蒸汽蝕刻等方法。而干法蝕刻有等離子體蝕刻、離子束蝕刻以及反應離子蝕刻等方法。以濕法蝕刻為例，傳統的濕法蝕刻方法是將待蝕刻的晶圓浸入蝕刻液中，蝕刻液可以對晶圓表面需要蝕刻的材料進行蝕刻。蝕刻的深度根據蝕刻液相對需蝕刻的材料的蝕刻率和蝕刻時間來共同決定，蝕刻時間越長，蝕刻深度也越深。而目前較新的技術是將蝕刻液通過傳輸管道輸送并利用噴頭噴灑于晶圓表面來進行濕法蝕刻，這樣濕法蝕刻的精度會更高。

在例如申請號為200510118748.2的中國專利申請中還能發現更多關于濕法蝕刻方法的信息。該專利申請通過將晶片置于蝕刻液后轉動晶片，使得晶片各表面接觸蝕刻液的時間相同，從而避免了晶片表面蝕刻不均勻的問題。

相應地，目前有用于濕法蝕刻的裝置，適用于單一化學試劑或多種化學試劑混合作為蝕刻液的濕法蝕刻工藝。該裝置通常包括用于輸送蝕刻液的傳輸管道，以及連通傳輸管道并用于將蝕刻液噴灑于晶圓表面來進行濕法蝕刻的噴頭。但是，在目前的濕法工藝中經常發現，由于在濕法蝕刻工藝結束后還會有一些殘余的蝕刻液滯留在輸送蝕刻液的傳輸管道內，當這些殘余的蝕刻液匯聚于噴頭內并由于重力的作用而滴落在晶圓表面時，不但會影響蝕刻的精度，例如使蝕刻的深度加深，還會使晶圓褪色，這些都會嚴重影響晶圓的質量。因而，蝕刻液殘留于傳輸管道內的情況也成為了當下急需解決的問題。

發明內容

本發明提供一種濕法蝕刻裝置及方法，解決現有技術濕法蝕刻裝置中的傳輸管道，在濕法蝕刻結束后存在殘留蝕刻液，而滴落在晶圓表面影響晶圓質量的問題。

為解決上述問題，本發明提供了一種濕法蝕刻裝置，包括，用于供應蝕刻液的供液裝置；連通供液裝置的傳輸管道；連通傳輸管道用于輸送殘余蝕刻液的排液管道，以及接收排液管道輸送的殘余蝕刻液并將殘余蝕刻液排出的排液裝置。

可選的，所述排液裝置是氣泵，所述氣泵通過排液管道抽取傳輸管道內的殘余蝕刻液，并將殘余蝕刻液排出。

可選的，所述排液裝置是水流式吸引泵，所述水流式吸引泵包括供應自來水的裝置，以及連通供應自來水的裝置的“T”字形管路。所述“T”字形管路與排液管道相連。所述水流式吸引泵通過“T”字形管路中的自來水的流動產生吸力，通過排液管道抽取傳輸管道內的殘余蝕刻液，并將殘余蝕刻液排出。

可選的，所述濕法蝕刻裝置還包括，連通傳輸管道用以將供液裝置提供的蝕刻液回收的第一回收管道、接收第一回收管道輸送的回收蝕刻液并將回收蝕刻液輸出的回收裝置以及將回收裝置輸出的回收蝕刻液輸送至供液裝置的第二回收管道。

可選的，所述供液裝置、傳輸管道通過焊接或鉚接的方式相連。

可選的，所述傳輸管道、排液管道和排液裝置通過焊接或鉚接的方式相連。

可選的，所述傳輸管道、第一回收管道、回收裝置、第二回收管道和供液裝置通過焊接或鉚接的方式相連。

可選的，所述濕法蝕刻裝置還包括位于排液管道和第一回收管道之間的傳輸管道上用來控制傳輸管道開啟或關閉的第一閥門。

可選的，所述濕法蝕刻裝置還包括位于排液管道上用來控制排液管道開啟或關閉的第二閥門。

可選的，所述濕法蝕刻裝置還包括位于第一回收管道上用來控制第一回收管道開啟或關閉的第三閥門。