[發明專利]晶圓背面減薄方法

無效

• 申請號: 200710046484.3
• 申請日: 2007-09-26
• 公開（公告）號: CN101399195A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 黃河;高大為;蒲賢勇;毛劍宏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/304;H01L21/3065;H01L21/306
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種晶圓背面減薄方法，其特征在于，包括下列步驟，

去除兩片晶圓粘合時或晶圓置于支撐載體上時的晶圓邊緣間隙范圍的晶圓圓周邊緣；

對于晶圓背面進行研磨達到減薄厚度。

2.如權利要求1所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述去除兩片晶圓粘合時或晶圓置于支撐載體上時的晶圓邊緣間隙范圍的晶圓圓周邊緣采用蝕刻的方法。

3.如權利要求2所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述蝕刻采用離子反應蝕刻。

4.如權利要求3所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述蝕刻時間為0.5至15分鐘。

5.如權利要求4所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述離子反應蝕刻采用SF6氣體。

6.如權利要求5所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述SF6的氣體流量為100至1000sccm。

7.如權利要求4所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述離子反應蝕刻采用SF6和C4F8混合氣體。

8.如權利要求7所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述SF6和C4F8的氣體流量比為1/2至20。

9.如權利要求1所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述減薄厚度為30至70um。

10.一種晶圓背面減薄方法，其特征在于，包括下列步驟，

去除兩片晶圓粘合時或晶圓置于支撐載體上時的晶圓邊緣間隙范圍的晶圓圓周邊緣；

對于晶圓背面進行蝕刻達到減薄厚度。

11.如權利要求10所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述去除兩片晶圓粘合時或晶圓置于支撐載體上時的晶圓邊緣間隙范圍的晶圓圓周邊緣采用蝕刻的方法。

12.如權利要求11所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述蝕刻采用離子反應蝕刻。

13.如權利要求12所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述蝕刻時間為0.5至15分鐘。

14.如權利要求13所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述離子反應蝕刻采用SF6氣體。

15.如權利要求14所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述SF6的氣體流量為100至1000sccm。

16.如權利要求13所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述離子反應蝕刻采用SF6和C4F8混合氣體。

17.如權利要求16所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述SF6和C4F8的氣體流量比為1/2至20。

18.如權利要求10所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述對于晶圓背面進行蝕刻達到減薄厚度采用濕法蝕刻或離子反應蝕刻。

19.如權利要求18所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述濕法蝕刻的時間為0.5至15分鐘。

20.如權利要求19所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述濕法蝕刻采用KOH。

21.如權利要求20所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述KOH的濃度為5％至30％。

22.如權利要求19所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述濕法蝕刻采用HNO₃、HF、H₃PO₄混合溶液。

23.如權利要求22所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述HNO₃、HF、H₃PO₄混合溶液的比例為10-20:3-15:3-15。

24.如權利要求18所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述離子反應蝕刻的時間為0.5至5分鐘。

25.如權利要求10所述的晶圓背面減薄方法，其特征在于，所述減薄厚度為30至70um。