[發(fā)明專(zhuān)利]晶圓腔體環(huán)境的改善方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710045486.0 | 申請(qǐng)日: | 2007-08-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101378000A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋興華;李曉波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 2012*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓腔體 環(huán)境 改善 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域,具體地說(shuō),涉及一種晶圓腔體環(huán)境的改善方法。
背景技術(shù)
為了連接半導(dǎo)體器件如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的金屬層,需要向DRAM的金屬層間介質(zhì)的通孔內(nèi)填充金屬如鋁或者銅。填充金屬的制程在真空反應(yīng)室即制程腔體內(nèi)(process?chamber)進(jìn)行的,該制程對(duì)真空環(huán)境的各項(xiàng)參數(shù)反應(yīng)靈敏,如果某一參數(shù)不在規(guī)格范圍內(nèi),就會(huì)造成晶圓良率的降低。每個(gè)晶圓由傳輸腔體(transfer?chamber)分配到各個(gè)不同的制程腔體,因此傳輸腔體的環(huán)境條件也會(huì)對(duì)晶圓產(chǎn)生影響。
傳輸腔體在進(jìn)行維護(hù)過(guò)程中是暴露在空氣中的,傳輸腔體體積較大,無(wú)法將腔體內(nèi)殘余氣體如水蒸汽(H2O)和氧氣(O2)完全去掉。在進(jìn)入制程腔體進(jìn)行沉積金屬步驟前,晶圓一般都會(huì)在傳輸腔體內(nèi)停留幾分鐘,這樣H2O和O2就會(huì)被吸附從而聚積在晶圓金屬層間介質(zhì)通孔底部。當(dāng)晶圓進(jìn)入制程腔體進(jìn)行沉積金屬步驟時(shí),由于H2O和O2的存在,腔體內(nèi)的壓強(qiáng)較大,金屬無(wú)法到達(dá)通孔或者沉積金屬的密度達(dá)不到規(guī)格值,從而形成不合格產(chǎn)品。每次傳輸腔體進(jìn)行維護(hù)后,進(jìn)行沉積金屬步驟的,一般都會(huì)有10-60%的晶圓是不合格產(chǎn)品。
但是,殘余氣體H2O和O2的存在導(dǎo)致腔體壓強(qiáng)超出最大允許值的狀況無(wú)法用傳統(tǒng)檢測(cè)方法檢測(cè)出。采用傳統(tǒng)方法測(cè)試時(shí),腔體的真空漏率和氣體壓強(qiáng)均在規(guī)格值范圍內(nèi),但是實(shí)際上已經(jīng)超出規(guī)格值。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種可檢測(cè)殘余氣體壓強(qiáng)且可對(duì)晶圓腔體環(huán)境的進(jìn)行改進(jìn)的改善方法。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種晶圓腔體環(huán)境的改善方法,用于晶圓的金屬沉積制程,該改善方法包括:提供與腔體相連的殘余氣體分析(RGA)裝置;設(shè)定腔體殘余氣體壓強(qiáng)的規(guī)格值,輸入RGA裝置;啟動(dòng)RGA裝置,對(duì)腔體殘余氣體的壓強(qiáng)條件進(jìn)行檢測(cè),若超出規(guī)格值,RGA裝置發(fā)出警報(bào);提供與腔體連接的冷凝泵,吸附腔體內(nèi)殘余氣體分子,將腔體壓強(qiáng)降低至規(guī)格值。
相較現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明采用RGA裝置可有效檢測(cè)出腔體內(nèi)殘余氣體的正確壓強(qiáng);每次進(jìn)行腔體維護(hù)后,采用本發(fā)明的改善方法對(duì)腔體進(jìn)行改善,可有效提高晶圓的成品率。
具體實(shí)施方式
以下對(duì)本發(fā)明晶圓腔體環(huán)境的改善方法的一實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
本發(fā)明的改善方法可以針對(duì)傳輸腔體也可以針對(duì)制程腔體,本實(shí)施例以傳輸腔體為改善對(duì)象,以對(duì)晶圓金屬層間通孔內(nèi)沉積鋁金屬制程為例。
傳輸腔體連接有殘余氣體分析(residual?gas?analysis,簡(jiǎn)稱(chēng)“RGA”)裝置,其可以對(duì)腔體內(nèi)的殘余氣體如水蒸汽(H2O)和氧氣(O2)產(chǎn)生的壓強(qiáng)進(jìn)行檢測(cè)。
本發(fā)明的改善方法包括如下步驟:
在RGA裝置上設(shè)定傳輸腔體內(nèi)允許的殘余氣體壓強(qiáng)的規(guī)格值,H2O的壓強(qiáng)規(guī)格值是7.0E-8托(Torr),O2的壓強(qiáng)規(guī)格值是2.0E-9Torr;
每次對(duì)傳輸腔體進(jìn)行維護(hù)后,在進(jìn)行率金屬沉積步驟前,首先采用RGA裝置對(duì)傳輸腔體內(nèi)的H2O和O2產(chǎn)生的壓強(qiáng)進(jìn)行檢測(cè),若超出設(shè)定的壓強(qiáng)規(guī)格值,RGA裝置就會(huì)發(fā)出警報(bào);
為了將傳輸腔體內(nèi)的H2O和O2產(chǎn)生的壓強(qiáng)降低到規(guī)格值,該傳輸腔體還連接有冷凝泵;打開(kāi)冷凝泵,將傳輸腔體內(nèi)的H2O和O2的分子吸附到冷凝泵內(nèi),直至將壓強(qiáng)降低至規(guī)格值;
然后對(duì)傳輸腔體進(jìn)行凈化步驟,方法是向傳輸腔體內(nèi)輸送氮?dú)?,然后再將氮?dú)獬樽?,且循環(huán)執(zhí)行凈化步驟,直至傳輸腔體的環(huán)境達(dá)到要求的程度。
采用RGA裝置可有效檢測(cè)出殘余氣體的壓強(qiáng)。每次進(jìn)行腔體維護(hù)后,采用本發(fā)明的改善方法對(duì)腔體進(jìn)行改善,可有效提高晶圓的成品率。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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