[發(fā)明專利]檢測光刻設(shè)備排氣系統(tǒng)和判斷產(chǎn)品CPK的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710045484.1 | 申請日: | 2007-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN101377622A | 公開(公告)日: | 2009-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柳會雄;張軻;余云初;王躍剛 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測 光刻 設(shè)備 排氣 系統(tǒng) 判斷 產(chǎn)品 cpk 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種檢測機(jī)器排氣系統(tǒng)的方法和一種判斷產(chǎn)品CPK(制程能力指數(shù))的方法,尤其涉及一種在光刻領(lǐng)域檢測機(jī)器排氣系統(tǒng)和判斷產(chǎn)品CPK的方法。
背景技術(shù)
在光刻領(lǐng)域內(nèi),機(jī)器的排氣系統(tǒng)能夠影響產(chǎn)品的特征尺寸。傳統(tǒng)的檢測機(jī)器排氣系統(tǒng)的方法是,當(dāng)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品的合格率較低時,就會判斷可能是該機(jī)器的排氣系統(tǒng)出現(xiàn)問題,由于不能及時獲得機(jī)器排氣系統(tǒng)的相關(guān)參數(shù),為了驗(yàn)證排氣設(shè)施是否出現(xiàn)了問題,設(shè)備工程師通常必須把機(jī)器停下來進(jìn)行檢查才能確定到底是哪一部份的排氣系統(tǒng)出現(xiàn)了故障。這樣不但降低了機(jī)器的工作效率,并且浪費(fèi)了大量的人力。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所解決的技術(shù)問題在于為光刻工藝工程師提供了一種新的檢測機(jī)器排氣系統(tǒng)的方法,通過比較檢測點(diǎn)的晶圓參數(shù),不用停機(jī)檢修,就能判斷出機(jī)器排氣系統(tǒng)是否正常。
為了解決傳統(tǒng)的監(jiān)測機(jī)器排氣系統(tǒng)方法的不足,本發(fā)明主要采用了以下方法:
機(jī)器的排氣系統(tǒng)是影響光阻厚度的一個因素,擺動曲線顯示出特征尺寸隨著光阻厚度的變化而變化。為了及時了解機(jī)器排氣系統(tǒng)的現(xiàn)狀,光刻工藝工程師就在擺動曲線上任意選擇一個點(diǎn)作為檢測點(diǎn),并且找出這個點(diǎn)上的光阻厚度,利用這個選定厚度的光阻進(jìn)行檢測。在這個點(diǎn)上,當(dāng)光阻的厚度有一點(diǎn)微小的變化時,產(chǎn)品的特征尺寸就會將這個變化放大。所以這個點(diǎn)對于檢測排氣系統(tǒng)來說是足夠敏感了。其主要的步驟如下:
步驟1,選擇一個合適的光阻,并且繪制出擺動曲線;
步驟2,在擺動曲線上,任意選擇選擇一點(diǎn),并且測量出在這個特殊點(diǎn)上的光阻厚度;
步驟3,在晶圓上涂布該選定厚度的光阻;
步驟4,收集這些晶圓的特征尺寸數(shù)據(jù);
步驟5,比較這些晶圓特征尺寸的數(shù)據(jù);
步驟6,如果這些數(shù)據(jù)在一標(biāo)準(zhǔn)方差的范圍之內(nèi),則證明該機(jī)器設(shè)備的排氣系統(tǒng)是良好的。
步驟7,如果這些數(shù)據(jù)在一標(biāo)準(zhǔn)方差的范圍之外,則需要檢查一下過程日志,確定哪個排氣裝置出現(xiàn)故障后,就需要設(shè)備工程師來檢查設(shè)備的排氣系統(tǒng)。
本發(fā)明還提供了一種判斷內(nèi)置產(chǎn)品CPK的方法,其步驟如下:
步驟1,選擇一個合適的光阻,并且調(diào)試出擺動曲線;
步驟2,在擺動曲線上,任意選擇選擇一點(diǎn),并且測量出在這個特殊點(diǎn)上的光阻厚度;
步驟3,在晶圓上涂布該選定厚度的光阻;
步驟4,收集這些晶圓的特征尺寸數(shù)據(jù);
步驟5,比較這些晶圓臨界尺寸的數(shù)據(jù);
步驟6,如果這些數(shù)據(jù)在一標(biāo)準(zhǔn)方差的范圍之內(nèi),則證明產(chǎn)品的CPK較高;
步驟7,如果這些數(shù)據(jù)在一標(biāo)準(zhǔn)方差的范圍之外,則證明產(chǎn)品的CPK較低。
本發(fā)明由于采用了上述的技術(shù)方案,使之與已有的技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)和積極效果:
1,不用停機(jī)就能檢測出機(jī)器的排氣系統(tǒng)是否正常;
2,選擇的這個特殊的點(diǎn),其放大效果更加明顯。
附圖說明
圖1是檢測機(jī)器排氣系統(tǒng)的具體流程圖
圖2是光阻P15的擺動曲線
圖3是系統(tǒng)的過程日志和特征尺寸隨光阻的變化曲線
圖4是特征尺寸隨光阻變化的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)表
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了一種在光刻領(lǐng)域檢測機(jī)器排氣系統(tǒng)的新方法,其具體細(xì)節(jié)描述如下:
光刻過程要用到曝光機(jī)和軌道機(jī)。我們知道機(jī)器的排氣系統(tǒng)是影響光阻厚度的一個因素,擺動曲線顯示特征尺寸會隨著光阻厚度的變化而變化。為了準(zhǔn)確的檢測排氣系統(tǒng)的現(xiàn)狀,光刻工藝工程師通常在擺動曲線上選擇一個點(diǎn)來進(jìn)行檢測,在這個點(diǎn)上,當(dāng)光阻的厚度有一點(diǎn)微小的變化時,產(chǎn)品的特征尺寸就會將這個變化放大。所以這個點(diǎn)對于檢測排氣系統(tǒng)來說是足夠敏感了。
當(dāng)光刻工藝工程師選擇一個光阻,并且繪制出擺動曲線的時候,他/她就可以在擺動曲線上,任意選擇一點(diǎn),并且找出該點(diǎn)的光阻厚度。光刻工藝工程師在晶圓上涂布該選定厚度的光阻,接著(6~12)片晶圓的特征尺寸數(shù)據(jù)就會被收集到。在比較這些特征尺寸的數(shù)據(jù)和檢查完過程日志后,光刻工藝工程師就可以得出這樣的結(jié)論:一些模塊的排氣系統(tǒng)是不正常的,或者機(jī)器的排氣系統(tǒng)是正常的等等。具體的流程圖如圖1所示,包括如下步驟:
步驟1,選擇一個合適的光阻,并且繪制出擺動曲線;
步驟2,在擺動曲線上,任意選擇一點(diǎn),并且找出該點(diǎn)的光租厚度。
步驟3,在晶圓上涂布該選定厚度的光阻;
步驟4,收集這些晶圓的特征尺寸數(shù)據(jù);
步驟5,比較這些晶圓特征尺寸的數(shù)據(jù);
步驟6,如果這些數(shù)據(jù)在一標(biāo)準(zhǔn)方差的范圍之內(nèi),則證明該機(jī)器設(shè)備的排氣系統(tǒng)是良好的。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
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