[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710045187.7
• 申請(qǐng)日: 2007-08-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101118912A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高孝裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法，特別是涉及一種用于液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

液晶顯示裝置具有低功能、外型薄、重量輕等特點(diǎn)，目前廣泛應(yīng)用于顯示器、電視、筆記本電腦等。液晶顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，在有源陣列基板上形成柵極引線1、數(shù)據(jù)線2、薄膜晶體管3、存儲(chǔ)電容4和像素電極6，薄膜晶體管(TFT)3的柵極與柵極引線1相連，用來(lái)提供掃描信號(hào)，從而可以將柵極信號(hào)輸入到柵極，控制TFT3的開(kāi)關(guān)。TFT3的源極與源極引線2相連，用來(lái)提供數(shù)據(jù)信號(hào)，從而當(dāng)TFT3打開(kāi)時(shí)，可以通過(guò)TFT3將數(shù)據(jù)信號(hào)輸入到相應(yīng)的像素電極6。柵極引線1和源極引線2在靠近像素電極6的地方穿行，排列成矩陣，相互交叉在一起。TFT3的漏極與像素電極6和存儲(chǔ)電容4，液晶電容5分別相連。存儲(chǔ)電容4和液晶電容5的另一極與公共電極(Vcom)相連。存儲(chǔ)電容4用來(lái)保持液晶層上施加的電壓，與液晶電容5并聯(lián)，液晶電容5包括一有源矩陣基板上的像素電極6、另一基板上的相應(yīng)公共電極及介于它們之間的液晶層。

圖2為傳統(tǒng)薄膜晶體管陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。柵極引線1及與柵極引線1相連的柵極11形成在透明基板10上，柵絕緣層12包覆在柵極11上。半導(dǎo)體層31形成在柵絕緣層12上，從而通過(guò)柵絕緣層12覆蓋在柵極11上。N+Si(摻雜非晶硅)層32作為半導(dǎo)體層31和金屬層20的連接層。中間絕緣膜41覆蓋在TFT3、柵極引線1和數(shù)據(jù)線2上。透明導(dǎo)電層(ITO)形成在中間絕緣膜41上，以構(gòu)成像素電極6。透明導(dǎo)電層與金屬層20相連，透明導(dǎo)電層通過(guò)一接觸孔51與TFT3的漏極相連，接觸孔51穿過(guò)中間絕緣膜41。當(dāng)通過(guò)CVD(化學(xué)氣相沉積)形成SiNx、SiO2等的中間絕緣膜41時(shí)，中間絕緣膜41的表面直接反映了有源矩陣的表面形狀。所以，當(dāng)在中間絕緣膜41上形成像素電極6時(shí)，由于中間絕緣膜41上具有臺(tái)階，最終在像素電極6上也會(huì)形成臺(tái)階，從而使液晶分子的取向出現(xiàn)擾動(dòng)，影響液晶顯示裝置的顯示畫(huà)質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種具有平坦化像素電極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列基板，以提高液晶顯示裝置的顯示畫(huà)質(zhì)。

本發(fā)明另一解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可獲得平坦化像素電極的薄膜晶體管陣列基板的制造方法。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包括在一透明基板上形成的柵極及與柵極電氣連接的柵極引線；一柵絕緣層，覆蓋柵極與柵極引線；一半導(dǎo)體層，形成在所述柵絕緣層上；源/漏極及與源極電氣連接的源極引線；形成在源/漏極層上的中間絕緣膜；其中所述中間絕緣膜上覆蓋有第二絕緣膜；所述第二絕緣膜上形成平坦化的像素電極。

本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括如下步驟：在一透明基板上形成柵極及與柵極電氣連接的柵極引線；在所述透明基板上形成柵絕緣層，覆蓋柵極與柵極引線；在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；形成源/漏極及與源極電氣連接的源極引線；在源/漏極層上形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上涂覆一層透明光敏絕緣膜，將光敏絕緣層作為掩膜材料刻蝕第一絕緣膜，并保留光敏絕緣膜作為第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成平坦化的像素電極。

所述光敏絕緣膜可以為負(fù)性光刻膠。

基于上述構(gòu)思，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板，由于在中間絕緣膜上增加了一層表面平坦的第二絕緣膜，從而形成平坦化的像素電極，改善了液晶顯示畫(huà)質(zhì)；本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，由于將光敏絕緣層作為掩膜材料刻蝕第一絕緣膜，并保留光敏絕緣膜作為第二絕緣膜，可形成平坦化的像素電極，有利于提高液晶顯示畫(huà)質(zhì)，且無(wú)需采用額外的光罩，可以減少傳統(tǒng)制造方法去除光刻膠的工藝步驟，降低制造成本，同時(shí)，光敏絕緣層又有利于提高光的透過(guò)率，可提高液晶顯示亮度。

為了更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說(shuō)明用，不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。

附圖說(shuō)明

圖1為液晶顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)圖；

圖2為傳統(tǒng)薄膜晶體管陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3A到圖3D示出了按照本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的逐步制造方法截面圖。

附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

1、柵極引線????2、源極引線???3、薄膜晶體管(TFT)???4、存儲(chǔ)電容

5、液晶電容????6、像素電極

10：透明基板???11、柵極??????12、柵絕緣層

20：金屬層