[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

無效

• 申請號: 200710045187.7
• 申請日: 2007-08-23
• 公開（公告）號: CN101118912A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 高孝裕
• 申請（專利權）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括

在一透明基板上形成的柵極及與柵極電氣連接的柵極引線；

一柵絕緣層，覆蓋柵極與柵極引線；

一半導體層，形成在所述柵絕緣層上；

源/漏極及與源極電氣連接的源極引線；

形成在源/漏極層上的中間絕緣膜；

其特征在于所述中間絕緣膜上覆蓋有第二絕緣膜；所述第二絕緣膜上形成平坦化的像素電極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述的第二絕緣膜為光敏絕緣膜。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述的光敏絕緣膜為負性光刻膠。

4.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括如下步驟：

在一透明基板上形成柵極及與柵極電氣連接的柵極引線；

在所述透明基板上形成柵絕緣層，覆蓋柵極與柵極引線；

在所述柵絕緣層上形成半導體層；

形成源/漏極及與源極電氣連接的源極引線；

在源/漏極層上形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上涂覆一層透明光敏絕緣膜，將光敏絕緣層作為掩膜材料刻蝕第一絕緣膜，并保留光敏絕緣膜作為第二絕緣膜；

形成平坦化的像素電極。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述光敏絕緣膜為負性光刻膠。