[發明專利]應用于閃存的雙重側壁

無效

• 申請號: 200710045072.8
• 申請日: 2007-08-21
• 公開（公告）號: CN101373772A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發明（設計）人: 吳佳特;李紹彬;鄔瑞彬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陸嘉

1.應用于閃存的雙重側壁，其特征在于，

所述雙重側壁包括第一離子增強氧化物層、氮化硅和第二等離子增強氧化物層；

其中，應用于閃存單元陣列的雙重側壁中，在沉積層間電介質層時第二等離子增強氧化物層被移除；

應用于閃存外圍設備的二次陣列中，在外圍設備的源極/漏極植入時，所有層都被保留，在沉積層間電介質層時，第二等離子增強氧化物層被移除。

2.如權利要求1所述的雙重側壁，其特征在于，

應用于閃存單元陣列的雙重側壁中，第二等離子增強氧化物層通過濕法刻蝕被移除。

3.如權利要求2所述的雙重側壁，其特征在于，

應用于閃存單元陣列的雙重側壁中，第一等離子增強氧化物層首先被沉積，之后氮化硅層被沉積，再之后第二等離子增強氧化物層被沉積形成側壁，在進行層間電介質沉積之前刻蝕第二等離子增強氧化物層。

4.如權利要求1所述的雙重側壁，其特征在于，

應用于閃存外圍設備的雙重側壁中，第二等離子增強氧化物層沉積的厚度為200A-300A。

5.如權利要求4所述的雙重側壁，其特征在于，

應用于閃存外圍設備的雙重側壁中，第一等離子增強氧化物層首先被沉積，之后氮化硅層被沉積，再之后第二等離子增強氧化物層被沉積形成側壁，隨后進行外圍器件源極/漏極的植入，然后刻蝕第二等離子增氧化物層，再沉積層間電介質層。

6.應用于閃存的雙重側壁的制程方法，其特征在于，包括：

依次沉積第一等離子增強氧化物層、氮化硅層和第二等離子增強氧化物層形成雙重側壁；

對應用于閃存單元陣列的雙重側壁，移除第二等離子增強氧化物層，再沉積層間電介質層；

對應用于閃存外圍設備的二次陣列，進行外圍設備的源極/漏極植入，之后移除第二等離子增強氧化物層并沉積層間電介質層。

7.如權利要求6所述的雙重側壁的制程方法，其特征在于，

對應用于閃存單元陣列的雙重側壁，通過濕法刻蝕被移除第二等離子增強氧化物層。

8.如權利要求7所述的雙重側壁的制程方法，其特征在于，

對應用于閃存單元陣列的雙重側壁，該方法包括

沉積第一等離子增強氧化物層；

沉積氮化硅層；

沉積第二等離子增強氧化物層；

刻蝕第二等離子增強氧化物層；

進行層間電介質沉積。

9.如權利要求6所述的雙重側壁的制程方法，其特征在于，

對應用于閃存外圍設備的雙重側壁，第二等離子增強氧化物層沉積的厚度為200A-300A。

10.如權利要求9所述的雙重側壁的制程方法，其特征在于，

對用于閃存外圍設備的雙重側壁，該方法包括

沉積第一等離子增強氧化物層；

沉積氮化硅層；

沉積第二等離子增強氧化物層；

進行外圍器件源極/漏極的植入；

刻蝕第二等離子增強氧化物層；

進行層間電介質沉積。