[發明專利]半導體器件柵極底切尺寸是否符合要求的確定方法

有效

• 申請號: 200710045040.8
• 申請日: 2007-08-20
• 公開（公告）號: CN101373724A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈蘅

1.一種半導體器件柵極底切尺寸是否符合要求的確定方法，其特征在于，該確定方法包括如下步驟：

a.建立柵極底切圖形的模擬模塊，該模擬模塊的建立包括如下子步驟：

a1.設定柵極底切在半導體器件長度方向的尺寸為L，柵極底切在柵極厚度方向的尺寸為H，尺寸H、L定義為底切尺寸；

a2.底切尺寸為零時，測試半導體器件的電性參數值，且定義為標準值；

a3.取若干不同組的底切尺寸值，分別測試半導體器件的電性參數值，并且建立底切尺寸與電性參數值的關系曲線；

a4.設定半導體器件的電性參數值的最大允許范圍；

b.提取蝕刻窗口以及蝕刻工藝數據，輸入步驟a建立的模擬模塊；

c.根據輸入數據，模擬模塊模擬出蝕刻柵極的底切模擬圖形，并輸出底切尺寸；

d.利用輸出的底切尺寸，根據子步驟a3建立的關系曲線，計算電性參數值，然后確認輸出電性參數值是否在電性參數的最大允許范圍內。

2.如權利要求1所述的確定方法，其特征在于：在子步驟a1中，H等于L。

3.如權利要求1所述的確定方法，其特征在于：在子步驟a1中，H大于L。

4.如權利要求1所述的確定方法，其特征在于：在子步驟a1中，H小于L。

5.如權利要求1所述的確定方法，其特征在于：在子步驟a4中，半導體器件的電性參數值的最大允許范圍是1±5％×標準值。

6.如權利要求1所述的確定方法，其特征在于：在子步驟a3中，在建立底切尺寸與電性參數的關系曲線的過程中，取至少四組H、L的不同尺寸。