[發(fā)明專利]晶圓背面研磨方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710045033.8
• 申請日: 2007-08-17
• 公開（公告）號: CN101367192A
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許順富;傅俊;陸志卿;賴海長
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;H01L21/304
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程，特別是涉及一種晶圓背面研磨方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體封裝組件的薄型化趨勢，封裝組件內(nèi)的半導(dǎo)體晶片也需要符合更薄的厚度，因此，在晶圓上集成電路制作制程之后和晶圓切割制程之前，還包括有晶圓背面研磨制程，以使得晶圓上多個(gè)晶片能一次完成薄化處理。

現(xiàn)有技術(shù)的晶圓背面研磨制程中，如申請?zhí)枮?3150009.9的中國專利申請所述，在晶圓背面研磨前需要在晶圓的形成有集成電路的正面貼附保護(hù)膠帶，以保護(hù)正面不會(huì)被磨損，在晶圓背面研磨完成后再去除保護(hù)膠帶。一種晶圓背面研磨方法具體如圖1所示，包括下述步驟：

步驟S11，提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對應(yīng)于所述正面的背面。

步驟S12，在所述晶圓的正面貼附一層保護(hù)膠帶。

步驟S13，計(jì)算研磨厚度。

步驟S14，將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露。

步驟S15，根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度，控制研磨裝置研磨所述晶圓的背面。

上述晶圓背面研磨方法中，所需計(jì)算的研磨厚度是保護(hù)膠帶厚度與預(yù)定的晶圓厚度之和，預(yù)定的晶圓厚度是指晶圓最終需要薄化到的厚度。通常，研磨裝置受其性能限制都具有最小研磨厚度限制，最小研磨厚度限制是指研磨裝置能使貼附有保護(hù)膠帶的晶圓薄化到的最小厚度。若計(jì)算所得的研磨厚度不小于研磨裝置的最小研磨厚度限制，則可以控制研磨裝置研磨所述晶圓的背面直至達(dá)到計(jì)算的研磨厚度，因此，去除保護(hù)膠帶的晶圓厚度即能達(dá)到最終需要薄化到的厚度。但是，若計(jì)算所得的研磨厚度小于研磨裝置的最小研磨厚度限制，則使用該研磨裝置將所述晶圓研磨得更薄會(huì)很容易造成晶圓的破損，因?yàn)檠心パb置的穩(wěn)定性降低了。

舉例來說，研磨裝置的最小研磨厚度限制是400微米(μm)，保護(hù)膠帶的厚度是130μm，晶圓最終需要薄化到的厚度是11密爾(mil，1mil＝25.4μm)，計(jì)算所得的研磨厚度約為410μm(130μm+11*25.4μm)，大于該研磨裝置的最小研磨厚度限制即400μm，因此使用該研磨裝置可以將晶圓研磨至11mil。但是，如果需要將晶圓研磨至8mil，計(jì)算所得的研磨厚度約為333μm(130μm+8*25.4μm)，其小于該研磨裝置的最小研磨厚度限制即400μm，因此，在這種情況下，就需要更換性能更好的研磨裝置，例如最小研磨厚度限制是300μm的研磨裝置，因?yàn)樵瓉淼难心パb置只能確保將晶圓研磨至11mil，如果繼續(xù)將晶圓研磨得更薄(例如8mil)，研磨裝置的穩(wěn)定性降低，勢必會(huì)增加晶圓的破損率(broken?rate)，而更換性能更好的研磨裝置就意味著增加更高的研磨制程成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是，提供一種晶圓背面研磨方法，其可以使研磨裝置將晶圓研磨得更薄，同時(shí)卻不會(huì)增加晶圓的破損率。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種晶圓背面研磨方法，包括下述步驟：

提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對應(yīng)于所述正面的背面；

貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面，所述保護(hù)膠帶的厚度大于等于研磨裝置的最小研磨厚度限制與預(yù)定的晶圓厚度之差；

計(jì)算研磨厚度，所述的研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護(hù)膠帶的厚度與預(yù)定的晶圓厚度之和；

將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露；

根據(jù)計(jì)算所得的研磨厚度，研磨所述晶圓的背面。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，所述貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面是貼附二層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面。其中，所述研磨裝置的最小研磨厚度限制是400微米，所述預(yù)定的晶圓厚度是6至10密爾，所述保護(hù)膠帶的各層厚度是130至160微米。

在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，所述貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面是貼附一層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面。其中，所述研磨裝置的最小研磨厚度限制是400微米，所述預(yù)定的晶圓厚度是6至10密爾，所述保護(hù)膠帶的一層厚度是280微米。

在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式，所述貼附保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面是貼附三層保護(hù)膠帶于所述晶圓的正面。其中，所述研磨裝置的最小研磨厚度限制是400微米，所述預(yù)定的晶圓厚度是6至10密爾，所述保護(hù)膠帶的各層厚度是90微米。

可選的，所述研磨裝置研磨晶圓的背面包括粗研磨和細(xì)研磨。

可選的，所述晶圓背面研磨方法還包括在研磨裝置研磨所述晶圓的背面的步驟后，將所述晶圓從研磨裝置取出，和去除所述晶圓正面的保護(hù)膠帶。