[發明專利]晶圓背面研磨方法

有效

• 申請號: 200710045033.8
• 申請日: 2007-08-17
• 公開（公告）號: CN101367192A
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發明（設計）人: 許順富;傅俊;陸志卿;賴海長
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;H01L21/304
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種晶圓背面研磨方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對應于所述正面的背面；

貼附保護膠帶于所述晶圓的正面，其中，若預定的晶圓厚度小于研磨裝置研磨貼附一層保護膠帶的晶圓所能達到的晶圓厚度，則不改變保護膠帶的厚度而增加保護膠帶的層數來增加貼附于晶圓正面的保護膠帶的厚度，以使貼附于所述晶圓的正面的保護膠帶的厚度大于等于研磨裝置的最小研磨厚度限制與預定的晶圓厚度之差，所述預定的晶圓厚度是指晶圓最終需要薄化到的厚度；

計算研磨厚度，所述研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護膠帶的厚度與預定的晶圓厚度之和；

將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露；

根據計算所得的研磨厚度，研磨所述晶圓的背面。

2.根據權利要求1所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述研磨裝置的最小研磨厚度限制是400微米，所述預定的晶圓厚度是6至10密爾，所述貼附保護膠帶于所述晶圓的正面是貼附二層保護膠帶于所述晶圓的正面，各層保護膠帶的厚度是130至160微米。

3.一種晶圓背面研磨方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對應于所述正面的背面；

貼附保護膠帶于所述晶圓的正面，其中，若預定的晶圓厚度小于研磨裝置研磨貼附一層保護膠帶的晶圓所能達到的晶圓厚度，則不改變保護膠帶的層數而是選擇更厚的保護膠帶來增加貼附于晶圓正面的保護膠帶的厚度，以使貼附于所述晶圓的正面的保護膠帶的厚度大于等于研磨裝置的最小研磨厚度限制與預定的晶圓厚度之差，所述預定的晶圓厚度是指晶圓最終需要薄化到的厚度；

計算研磨厚度，所述研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護膠帶的厚度與預定的晶圓厚度之和；

將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露；

根據計算所得的研磨厚度，研磨所述晶圓的背面。

4.根據權利要求3所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述研磨裝置的最小研磨厚度限制是400微米，所述預定的晶圓厚度是6至10密爾，所述貼附保護膠帶于所述晶圓的正面是貼附一層保護膠帶于所述晶圓的正面，所述一層保護膠帶的厚度是280微米。

5.一種晶圓背面研磨方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供晶圓，所述晶圓具有形成有集成電路的正面和對應于所述正面的背面；

貼附保護膠帶于所述晶圓的正面，其中，若預定的晶圓厚度小于研磨裝置研磨貼附一層保護膠帶的晶圓所能達到的晶圓厚度，則減小保護膠帶的厚度并增加保護膠帶的層數來增加貼附于晶圓正面的保護膠帶的厚度，以使貼附于所述晶圓的正面的保護膠帶的厚度大于等于研磨裝置的最小研磨厚度限制與預定的晶圓厚度之差，所述預定的晶圓厚度是指晶圓最終需要薄化到的厚度；

計算研磨厚度，所述研磨厚度是貼附于晶圓正面的保護膠帶的厚度與預定的晶圓厚度之和；

將所述晶圓裝載于研磨裝置，使所述晶圓的背面顯露；

根據計算所得的研磨厚度，研磨所述晶圓的背面。

6.根據權利要求5所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述研磨裝置的最小研磨厚度限制是400微米，所述預定的晶圓厚度是6至10密爾，所述貼附保護膠帶于所述晶圓的正面是貼附三層保護膠帶于所述晶圓的正面，各層保護膠帶的厚度是90微米。

7.根據權利要求1或3或5所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，所述研磨裝置研磨晶圓的背面包括粗研磨和細研磨。

8.根據權利要求1或3或5所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，還包括在研磨裝置研磨所述晶圓的背面的步驟后，將所述晶圓從研磨裝置取出。

9.根據權利要求8所述的晶圓背面研磨方法，其特征在于，還包括在將所述晶圓從研磨裝置取出的步驟后，去除所述晶圓正面的保護膠帶。