[發明專利]降低氮化物只讀存儲器的編程干擾的方法

有效

• 申請號: 200710044974.X
• 申請日: 2007-08-17
• 公開（公告）號: CN101369455A
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發明（設計）人: 陳德艷;繆威權;陳良成;劉鑒常
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種降低氮化物只讀存儲器的編程干擾的方法，用以降低氮化物只讀存儲器編程中的位線干擾，該氮化物只讀存儲器具有一存儲單元陣列，該陣列中的存儲單元的柵極連接多條字線，該陣列中的存儲單元的源極或漏極連接多條位線，其特征在于，該方法包括以下步驟：

a.對選中的存儲單元編程；以及

b.在步驟a的同時，對該氮化物只讀存儲器施加一特定的基體偏壓，使該基體偏壓施加至與選中的存儲單元同一位線的未選中存儲單元，該基體偏壓是根據對位線干擾的容忍度，從包含存儲單元的基體偏壓與位線干擾的對應關系的表格中選取，該位線干擾是以該未選中單元的電壓變動量來衡量。

2.如權利要求1所述的降低氮化物只讀存儲器的編程干擾的方法，其特征在于，該步驟a進一步包括：通過一字線施加一柵極電壓至選中的存儲單元的柵極，以及通過兩位線分別施加一源極電壓和一漏極電壓至選中的存儲單元的源極和漏極。

3.如權利要求1所述的降低氮化物只讀存儲器的編程干擾的方法，其特征在于，還包括測量一組基體偏壓與位線干擾的對應關系，以預先建立該表格。

4.如權利要求3所述的降低氮化物只讀存儲器的編程干擾的方法，其特征在于，預先建立該表格的步驟包括：

以一編程模式對一存儲單元的一存儲位進行編程，檢測該存儲位的電壓；

以一干擾模式對該存儲單元施加電壓，其中選擇一組不同的基體偏壓，并檢測該存儲單元在不同的基體偏壓作用下的存儲位電壓的變動量；

建立該組基體偏壓與該存儲單元的存儲位電壓的變動量的對應關系表。

5.如權利要求3所述的降低氮化物只讀存儲器的編程干擾的方法，其特征在于，預先建立該表格的步驟包括：

測量一存儲單元的一存儲位的初始電壓；

以一干擾模式對該存儲單元的該存儲位施加電壓，并且選擇一組不同的基體偏壓，以檢測該存儲單元在不同的基體偏壓作用下的該存儲位電壓的變動量；

建立該組基體偏壓與該存儲單元的該存儲位電壓的變動量的對應關系表。

6.如權利要求1所述的降低氮化物只讀存儲器的編程干擾的方法，其特征在于，所述與選中的存儲單元同一位線的未選中存儲單元的狀態包括未編程和已編程。

7.如權利要求1所述的降低氮化物只讀存儲器的編程干擾的方法，其特征在于，該基體偏壓為正電壓。

8.如權利要求1所述的降低氮化物只讀存儲器的編程干擾的方法，其特征在于，該基體偏壓介于0.1～0.5V之間。