[發明專利]一種多晶硅片的制造方法無效
| 申請號： | 200710044944.9 | 申請日： | 2007-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN101368290A | 公開（公告）日： | 2009-02-18 |
| 發明（設計）人： | 陳科 | 申請（專利權）人： | 陳科 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B29/64;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200434上海市虹*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 硅片 制造 方法 | ||
1.一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：將熔融的硅熔體注入一個狹縫，該狹縫是由兩個耐高溫面形成，可以分別獨立設定這兩個耐高溫面的溫度，硅熔體會在狹縫的耐高溫面上結晶成硅片，狹縫的耐高溫面可以約束硅片的厚度。
2.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：將熔融的硅熔體注入一個狹縫。
3.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：該狹縫是由兩個耐高溫面形成。
4.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：可以分別獨立設定這兩個耐高溫面的溫度。
5.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：狹縫的耐高溫面可以約束硅片的厚度。
6.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：狹縫的兩個耐高溫面可以是旋轉輥的表面。
7.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：狹縫的兩個耐高溫面可以是傳輸帶的表面。
8.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：可以只有一個狹縫的耐高溫面是旋轉輥的表面。
9.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：可以只有一個狹縫的耐高溫面是傳輸帶的表面。
10.根據權利要求1所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：:狹縫的耐高溫面可以是上模板底面2。
11.根據權利要求10所述的一種多晶硅片的制造方法，其特征在于：狹縫的耐高溫面可以是下模具的凹坑底面1。
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