[發明專利]光學鄰近校正的方法

有效

• 申請號: 200710044547.1
• 申請日: 2007-08-03
• 公開（公告）號: CN101359178A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: 劉慶煒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/14
• 分類號: G03F7/14
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術領域

本發明涉及一種光學鄰近校正的方法，特別涉及用于半導體層上的不同區域的光學鄰近校正的方法。

背景技術

在現有的技術中，半導體都要經過光刻流程，光刻流程就是光線通過掩膜對抗蝕劑進行曝光，掩膜上的圖案被轉移而形成抗蝕圖案的過程。如果掩膜圖案的尺寸非常小，掩膜圖案的尺寸會接近形成抗蝕圖案的光線的波長，從而產生光學臨近效應(Optical?Proximity?Effect，OPE)，掩膜上的圖案就會在轉移時變形，而且掩膜圖案上相鄰圖案區域的光刻質量受光學臨近效應的影響越來越大。一般光學臨近效應的消除方法采用光學臨近修正(Optical?ProximityCorrections，OPC)，光學臨近修正對半導體某一特定層形成修正圖案進行修正。現在半導體設計中引入了臨界尺寸(critica?ldimension，CD)，會限制光刻時的焦深(depth?of?focus，DOF)，所以半導體基質的拓撲開始影響光刻過程。

比如在90納米的半導體制造工藝中，半導體多晶硅層上被分成兩個部分：一個部分為位于有源區域上的柵極部分，另一個部分為位于淺溝槽(STI)上的多晶硅部分，其中柵極部分和多晶硅部分的厚度和材質堆疊均不同，這樣其中相對于另一部分會產生不同焦距的問題。雖然可以通過采用防反射層減弱上述不同焦距的問題，但是效果不是很理想。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光學鄰近校正的方法，通過該方法能實現半導體層上的不同區域的光學鄰近校正。

為了達到所述的目的，本發明提供了一種用于半導體層的光學鄰近校正的方法，所述半導體層的表面具有一最佳聚焦平面和一散焦平面，其中，所述方法包括以下步驟：首先使用用于最佳聚焦平面的光學鄰近校正模型對半導體層表面的最佳聚焦平面進行光學鄰近校正；再使用用于散焦平面的光學鄰近校正模型對半導體層表面的散焦平面進行光學鄰近校正。

在上述的用于半導體層的光學鄰近校正的方法中，所述的半導體層包括兩個多晶硅層，兩個多晶硅層不相交的平面為最佳聚焦平面，兩個多晶硅層相交的平面為散焦平面。

在上述的用于半導體層的光學鄰近校正的方法中，所述的兩個多晶硅層的相交區域的厚度大于兩個多晶硅層未相交區域的厚度。

本發明由于采用了上述的技術方案，使之與現有技術相比，具有以下的優點和積極效果：通過本發明的光學鄰近校正的方法可以補償由于拓撲效應產生的臨界尺寸變化。

附圖說明

本發明的光學鄰近校正的方法由以下的實施例及附圖給出。

圖1為一種半導體結構的俯視示意圖；

圖2為沿圖1中A-A方向的剖視圖。

具體實施方式

以下將結合附圖對本發明的光學鄰近校正的方法作進一步的詳細描述。

如圖1、圖2所示，半導體層包括一半導體襯底5，形成于襯底5上的兩個多晶硅層1、2，由于半導體的拓撲效應，兩個多晶硅層1、2有一相交區域3，在相交疊區域3下方形成一有源區6，其中，相交區域3的厚度比多晶硅層1、2其他區域的厚度大。如圖2所示，圖2為沿圖1中A-A方向的剖視圖，半導體上的最佳聚焦平面a包括多晶硅層1、2的表面且不包括相交區域3的表面，也就是說兩個多晶硅層1、2不相交的平面，提供一用于最佳聚焦平面的光學鄰近校正模型；散焦平面為相交區域3形成的表面(如圖中的梯形表面)，提供一用于散焦平面的光學鄰近校正模型。當需要對半導體層進行光學鄰近校正時，本發明的光學鄰近校正的方法可以分成兩個步驟：第一步驟是對為最佳聚焦平面a的半導體平面，使用用于最佳聚焦平面的光學鄰近校正模型；第二步驟是對為散焦平面的半導體平面，使用用于散焦平面的光學鄰近校正模型，其中，用干散焦平面的光學鄰近校正模型利用散焦值和光學模型對掩模圖案進行光刻模擬成像，迭代優化校正目標掩模圖案形狀。

通過本發明的光學鄰近校正的方法，可以補償由于拓撲效應產生的臨界尺寸變化。

以上介紹的僅僅是基于本發明的較佳實施例，并不能以此來限定本發明的范圍。任何對本發明的方法作本技術領域內熟知的步驟的替換、組合、分立，以及對本發明實施步驟作本技術領域內熟知的等同改變或替換均不超出本發明的揭露以及保護范圍。