[發明專利]BCD工藝中的N型LDMOS器件及其版圖制作方法和制造方法

有效

• 申請號: 200710044405.5
• 申請日: 2007-07-31
• 公開（公告）號: CN101359664A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: 顧鵬程;王煒
• 申請（專利權）人: 上海貝嶺股份有限公司;上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/78;H01L21/822;H01L21/336
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃威;徐金偉

1.一種BCD工藝中的N型LDMOS器件，其特征在于：采用圓形版圖布圖方式，該LDMOS器件(17)包含P型襯底區域(1)、位于該P型襯底區域(1)之上的N型埋層(2)、位于該N型埋層(2)之上的P型外延層(21)，位于該P型外延層(21)內的用于在其中形成N型LDMOS器件的NTUB區域(4)、用于隔離所述NTUB區域的P型區域、位于該P型外延層(21)內的用于形成器件源極的P型溝道區(6)、位于該P型溝道區(6)內且外接到源電極(S13)的P+區域(12)、位于該P型溝道區(6)內的源極(13)的N+區域(11)和位于版圖中央的漏極(15)的N+區域(11)、柵極(14)、場氧化層(7)；

其中，該LDMOS器件(17)所在的NTUB區域(4)對該P型溝道區(6)的覆蓋被省略。

2.根據權利要求1所述的N型LDMOS器件，其特征在于，所述NTUB區域(4)在源極(13)處的邊界與源極(13)的N+區域(11)位于所述P+區域(12)一側的邊界對齊。

3.根據權利要求2所述的N型LDMOS器件，其特征在于，當所述源極(13)的N+區域(11)與P+區域(12)相接時，所述NTUB區域(4)在源極(13)處的邊界與源極(13)的N+區域(11)和P+區域(12)的邊界對齊。

4.一種BCD工藝中N型LDMOS器件的制造方法，其特征在于，采用圓形版圖布圖方式，其中LDMOS器件的漏極位于圓形版圖布圖的器件中央，該方法包括：

1).在P-襯底(1)上形成N型埋層(2)，所述埋層(2)形成窗口(27)；

2).在所述N型埋層(2)的外圍形成P型埋層(3)；

3).在所述N型埋層(2)和P型埋層(3)上生長P型外延層(21)，所述N型埋層(2)和P型埋層(3)上反擴散至所述P型外延層(21)中；

4).向所述P型外延層(21)中注入N型離子形成NTUB區域(4)，與上反擴散的N型埋層(2)相接，形成N型隔離島，所述LDMOS器件將在N型隔離島上形成，該NTUB區域(4)形成一個窗口，該窗口與步驟1)中所述的窗口(27)相同；

5).向所述P型外延層(21)中的NTUB區域(4)外圍注入P型離子形成隔離區域(5)，與上反擴散的P型埋層(3)相接，形成隔離區域；

6).向所述NTUB區域(4)和隔離區域(5)的交界附近區域注入P型離子形成一定結深的P型溝道區(6)；

7).掩蔽有源區域(8)，然后在有源區域(8)以外的區域生長場氧化層(7)；

8).生長犧牲氧化層，然后去除所述犧牲氧化層；

9).在所述LDMOS器件(17)的柵極(14)的位置處生長柵氧化層(9)，并在其上形成多晶柵(10)；

10).在所述LDMOS器件(17)的源極(13)和漏極(15)的N+區域(11)的位置注入N型離子形成N+區域(11)，在源極(13)的P+區域(12)的位置注入P型離子形成P+區域(12)，令所述NTUB區域(4)在源極(13)處的邊界與N+區域(11)靠近P+區域(12)一側的邊界處對齊；

11).后續步驟，包括熱退火、沉積硼磷硅玻璃薄膜、引線孔工藝步驟、金屬布線模塊及鈍化與壓點工藝。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，當所述器件的源極(13)的N+區域(11)與P+區域(12)相接時，所述NTUB區域(4)在源極(13)處的邊界與源極(13)的N+區域(11)和P+區域(12)的邊界對齊。

6.一種BCD工藝中N型LDMOS器件的版圖制作方法，其特征在于：所述N型LDMOS器件利用如權利要求4所述的制造方法制成，并且采用圓形版圖布圖方式，其中漏極(15)位于該圓形版圖布圖的LDMOS器件的中央；

其中，該LDMOS器件(17)所在的NTUB區域(4)對P型溝道區(6)的覆蓋被省略。

7.根據權利要求6所述的版圖制作方法，其特征在于，所述NTUB區域(4)在源極(13)處的邊界被定義為與源極(13)的N+區域(11)位于P+區域(12)一側的邊界對齊。

8.根據權利要求7所述的版圖制作方法，其特征在于，當所述LDMOS器件的源極(13)的N+區域(11)與P+區域(12)相接時，所述NTUB區域(4)在源極(13)處的邊界被定義為與源極(13)的N+區域(11)和P+區域(12)的邊界對齊。