[發明專利]層間粘附力的檢測方法及檢測試片制作方法有效
| 申請號： | 200710044344.2 | 申請日： | 2007-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN101354335A | 公開（公告）日： | 2009-01-28 |
| 發明（設計）人： | 徐強 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N19/04 | 分類號： | G01N19/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 粘附 檢測 方法 試片 制作方法 | ||
1.一種層間粘附力的檢測方法，其特征在于，包括步驟：
提供待檢測試片，且所述待檢測試片上具有第一薄膜和第二薄膜；
確定所述待檢測試片的應力狀態；
根據待測試片的應力狀態，確定要生長的第三薄膜的工藝條件；
在所述待檢測試片上生長第三薄膜；
形成檢測試片，且所述檢測試片處于張應力狀態；
利用四點彎曲法檢測所述第一薄膜和第二薄膜間的粘附力。
2.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于：所述第三薄膜包括氧化硅層。
3.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于：所述第三薄膜包括含氟氧化硅層。
4.如權利要求1、2或3所述的檢測方法，其特征在于：所述第三薄膜的厚度在2000至8000之間。
5.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于：所述工藝條件包括工藝時間、反應氣體的種類及流量。
6.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于：所述第一薄膜和第二薄膜分別包括金屬層、介質層或半導體層中的任一種。
7.如權利要求6所述的檢測方法，其特征在于：所述第二薄膜包括摻碳的氮化硅層。
8.如權利要求1或5所述的檢測方法，其特征在于：所述待檢測試片的襯底與所述第一薄膜之間，還具有一層緩沖層。
9.如權利要求8所述的檢測方法，其特征在于：所述緩沖層包括氧化硅層。
10.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于：所述張應力的大小在0至50MPa之間。
11.一種層間粘附力的檢測試片制作方法，其特征在于，包括步驟：
提供待檢測試片，且所述待檢測試片上具有第一薄膜和第二薄膜；
確定所述待檢測試片的應力狀態；
根據待測試片的應力狀態，確定要生長的第三薄膜的工藝條件；
在所述待檢測試片上生長第三薄膜；
將所述待檢測試片上的第三薄膜與襯底粘在一起，形成檢測試片，且所述檢測試片處于張應力狀態。
12.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述第三薄膜包括氧化硅層。
13.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述第三薄膜包括含氟氧化硅層。
14.如權利要求11、12或13所述的制作方法，其特征在于：所述第三薄膜的厚度在2000至8000之間。
15.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述工藝條件包括工藝時間、反應氣體的種類及流量。
16.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述第一薄膜和第二薄膜分別包括金屬層、介質層或半導體層中的任一種。
17.如權利要求16所述的制作方法，其特征在于：所述第二薄膜包括摻碳的氮化硅層。
18.如權利要求11或15所述的制作方法，其特征在于：所述待檢測試片的襯底與所述第一薄膜之間，還具有一層緩沖層。
19.如權利要求18所述的制作方法，其特征在于：所述緩沖層包括氧化硅層。
20.如權利要求11所述的制作方法，其特征在于：所述張應力的大小在0至50MPa之間。
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