[發(fā)明專利]一種低粗糙度硅拋光片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710044155.5
• 申請日: 2007-07-24
• 公開（公告）號: CN101352829A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發(fā)明（設計）人: 李繼光;顧凱峰
• 申請（專利權）人: 上海光煒電子材料有限公司
• 主分類號: B24B29/00
• 分類號: B24B29/00;B24B1/00;H01L21/304;C09G1/04
• 代理公司: 上海世貿專利代理有限責任公司
• 代理人: 嚴新德

技術領域：

本發(fā)明涉及物理領域，尤其涉及半導體材料，特別涉及硅拋光片，具 體地是一種低粗糙度硅拋光片的加工方法。

背景技術：

在當今全球超過2000億美元的電子通信半導體市場中，95％以上的半 導體器件是用硅材料制作的，集成電路的99％以上是用硅制作的。相對其 它半導體材料而言，硅具有廉價豐富、易于生長成大尺寸高純度晶體，以 及熱性能與機械性能優(yōu)良等優(yōu)點。目前世界上硅單晶片的年產量已達60 億平方英寸，其中全球8″硅片的年需要量已超過29億平方英寸，約合5800 噸單晶。

硅片大直徑化是集成電路技術線寬變細、元件數(shù)量增多、管芯面積增 大和降低成本的需要，是硅材料的發(fā)展趨勢。當今，國外IC生產線主流 產品采用8″硅晶片，并且正在向12″硅晶片過渡。近年來，SiGe/Si(Si外延 材料)發(fā)展很快，在紅外探測器、光波導等方面也有潛在應用；制造高速、 抗輻照、高溫低壓和低功耗芯片的關鍵技術之一SOI(絕緣襯底上的硅材 料)晶片制造技術取得了突飛猛進的進步，很有發(fā)展前景。目前，國外3″SiC 單晶已有樣品，2″4HS—SiC、6H—SiC晶片已商品化。

一般CZ(Czchralski)硅拋光片，往往都是對表面顆粒，表面缺陷等 提出要求，但是都沒有對其表面粗糙度提出更高的要求，一般IC用硅拋 光片的表面粗糙度在8-10，由于硅拋光片的表面粗糙度高，使得硅拋光 片的性能不穩(wěn)定，電阻率不均勻，硅拋光片的薄膜的附著強度低。

發(fā)明內容：

本發(fā)明的目的在于提供一種低粗糙度硅拋光片的加工方法，所述的這 種低粗糙度硅拋光片的加工方法要解決現(xiàn)有技術中的硅拋光片性能不穩(wěn) 定、電阻率不均勻和硅拋光片的薄膜附著強度低的技術問題。

本發(fā)明的這種低粗糙度硅拋光片的加工方法，包括一個利用拋光機對 硅單晶片進行拋光處理的過程，所述的利用拋光機對硅單晶片進行拋光處 理的過程中順序包括有一個粗拋的過程、一個中拋的過程和一個精拋的過 程，其中，在所述的精拋的過程中，利用拋光布對所述的硅單晶片進行拋 光加工，在所述的拋光布和硅單晶片的表面之間引進精拋漿，所述的精拋 漿由純水和活化劑組成，所述的純水和活化劑的重量百分比在1：25～35 之間，拋光加工在26～30攝氏度的溫度條件下進行，精拋漿每分鐘的流 量為300～800ml，拋光機的轉速為50～100rpm，拋光壓力為0.10～ 0.16Mpa，拋光機中拋盤的轉速為60～80rpm，拋光加工的時間為5～ 10min。

進一步的，所述的拋光布采用RODEL205RVC。

進一步的，所述的精拋漿中，純水和活化劑的重量百分比在1：30 之間。

進一步的，所述的活化劑是FA/O、O_II—7((C₁₀H₂₁—C₆H₄—O—CH₂CH₂O) 7—H)、或者O_II—10((C₁₀H₂₁—C₆H₄—O—CH₂CH₂O)10—H)、或者O—20((C_12-18H_25-37—C₆H₄O—CH₂CH₂O)70—H)，或者是FA/O、O_II—7((C₁₀H₂₁—C₆H₄—O—CH₂CH₂O)7—H)、O_II—10((C₁₀H₂₁—C₆H₄—O—CH₂CH₂O)10—H)和O —20((C_12-18H_25-37—C₆H₄—O—CH₂CH₂O)70—H)的任意組合。