[發(fā)明專利]一種低粗糙度硅拋光片的加工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710044155.5 | 申請日： | 2007-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN101352829A | 公開（公告）日： | 2009-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李繼光;顧凱峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海光煒電子材料有限公司 |
| 主分類號： | B24B29/00 | 分類號： | B24B29/00;B24B1/00;H01L21/304;C09G1/04 |
| 代理公司： | 上海世貿(mào)專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 嚴(yán)新德 |
| 地址： | 201617*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 粗糙 拋光 加工 方法 | ||
1.一種低粗糙度硅拋光片的加工方法，包括一個利用拋光機(jī)對硅單 晶片進(jìn)行拋光處理的過程，所述的利用拋光機(jī)對硅單晶片進(jìn)行拋 光處理的過程中順序包括有一個粗拋的過程、一個中拋的過程和 一個精拋的過程，其特征在于：在所述的精拋的過程中，利用拋 光布對所述的硅單晶片進(jìn)行拋光加工，在所述的拋光布和硅單晶 片的表面之間引進(jìn)精拋漿，所述的精拋漿由純水和活化劑組成， 所述的純水和活化劑的重量百分比在1∶25～35之間，拋光加工 在26～30攝氏度的溫度條件下進(jìn)行，精拋漿每分鐘的流量為300～ 800ml，拋光機(jī)的轉(zhuǎn)速為50～100rpm，拋光壓力為0.10～0.16Mpa， 拋光機(jī)中拋盤的轉(zhuǎn)速為60～80rpm，拋光加工的時間為5～10min。
2.如權(quán)利要求1所述的低粗糙度硅拋光片的加工方法，其特征在于： 所述的拋光布采用RODEL?205?RVC。
3.如權(quán)利要求1所述的低粗糙度硅拋光片的加工方法，其特征在于： 所述的精拋漿中，純水和活化劑的重量百分比為1∶30。
4.如權(quán)利要求1所述的低粗糙度硅拋光片的加工方法，其特征在于： 所述的活化劑是FA/O、OII-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、 OII-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)和O-20((C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)的任意組合。
5.如權(quán)利要求1所述的低粗糙度硅拋光片的加工方法，其特征在于： 在進(jìn)行所述的粗拋的過程之前，對硅單晶片進(jìn)行倒角加工，在所 述的倒角加工過程中，采用800目+1500目雙重砂輪進(jìn)行倒角。
6.如權(quán)利要求1所述的低粗糙度硅拋光片的加工方法，其特征在于： 在進(jìn)行所述的粗拋的過程之前，對硅單晶片進(jìn)行堿溶液腐蝕，然 后進(jìn)行清洗。
7.如權(quán)利要求6所述的低粗糙度硅拋光片的加工方法，其特征在于： 所述的堿溶液為KOH或者NaOH水溶液。
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