[發(fā)明專利]一種在HSn70－1黃銅表面形成自組裝單分子阻蝕膜的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710044078.3
• 申請(qǐng)日: 2007-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN101092698A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐群杰;萬宗躍;黃詩(shī)俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海電力學(xué)院
• 主分類號(hào): C23F11/00
• 分類號(hào): C23F11/00
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 吳寶根

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種對(duì)金屬表面進(jìn)行防腐蝕處理的方法，更具體地說是涉及一種對(duì)HSn70-1黃銅進(jìn)行表面處理形成單分子阻蝕膜的方法。

背景技術(shù)

金屬腐蝕是金屬在環(huán)境中腐蝕介質(zhì)發(fā)生作用下成為氧化狀態(tài)的熱力學(xué)自發(fā)過程。據(jù)報(bào)道，每年由于金屬腐蝕而造成的經(jīng)濟(jì)損失占國(guó)民生產(chǎn)總值的1.5～2.4％。為了應(yīng)對(duì)金屬腐蝕加劇，人們對(duì)緩蝕劑使用越來越多，但是目前應(yīng)用的緩蝕劑大多數(shù)并不是綠色環(huán)保的緩蝕劑，或多或少會(huì)對(duì)環(huán)境產(chǎn)生一定的危害。為了減緩金屬腐蝕或防止金屬腐蝕，采用涂層保護(hù)的方法是防腐蝕方法中應(yīng)用最廣泛也是最有效的措施。將特定的緩蝕劑，如緩蝕劑分子自組裝在金屬表面上形成致密、有序的單分子膜可以阻擋環(huán)境介質(zhì)對(duì)基底金屬的侵蝕，保護(hù)基底金屬免遭腐蝕。3-氨基-1，2，4-三氮唑(ATA)是一種用途廣泛的有機(jī)合成中間體，也是用于人體蛋白質(zhì)中色氨酸含量的特種生化試劑，由于其光敏性以及生物活性而被廣泛用于抗菌素類藥物，三唑類偶氨染料，感光材料，內(nèi)吸性殺菌劑以及植物生長(zhǎng)調(diào)節(jié)劑的合成與制備，但由于它具有很強(qiáng)的螯合性，可形成鰲合物附著在金屬容器表面阻止金屬腐蝕，無磷無毒，可嘗試用做金屬防腐蝕用緩蝕劑。3-氨基-1，2，4-三氮唑(ATA)對(duì)HSn70-1黃銅的緩蝕作用以及用來形成自組裝單分子阻蝕膜等方面的研究報(bào)道國(guó)內(nèi)外尚不多見。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種以ATA為主要活性成分在HSn70-1黃銅表面形成自組裝單分子阻蝕膜的方法，本發(fā)明具有ATA用量低，緩蝕阻垢能力強(qiáng)的突出優(yōu)點(diǎn)，對(duì)環(huán)境無污染。

一種在HSn70-1黃銅表面形成自組裝單分子阻蝕膜的方法，包括下列步驟：

a.將HSn70-1黃銅先經(jīng)0#～6#逐級(jí)打磨拋光、無水乙醇除油、去離子水洗凈后，備用；

b.將ATA配制成濃度為1×10^-3mol/L的緩蝕劑溶液；

c.將上述處理過的HSn70-1黃銅浸漬于上述配制成的ATA緩蝕劑溶液中，浸漬溫度為20～30℃，浸漬時(shí)間為0.5～2小時(shí)，最終在HSn70-1黃銅表面形成ATA自組裝單分子阻蝕膜。

步驟c中HSn70-1黃銅在ATA緩蝕劑溶液中的浸漬時(shí)間為1小時(shí)。

發(fā)明的有益效果，本發(fā)明采用的ATA的緩蝕劑是一種綠色、環(huán)保緩蝕劑，對(duì)環(huán)境無危害，本發(fā)明將上述緩蝕劑通過形成自組裝單分子阻蝕膜(SAMs)的方式在HSn70-1黃銅表面成膜，減緩黃銅腐蝕發(fā)生，具有很好的緩蝕效果。電化學(xué)數(shù)據(jù)表明，HSn70-1黃銅在ATA自組裝溶液中成膜1h的腐蝕電流大大降低，僅為1.096μA·cm^-2，緩蝕效率約96.69％，本發(fā)明對(duì)3％NaCl溶液中的HSn70-1黃銅具有明顯的緩蝕效果。

附圖說明

圖1是HSn70-1黃銅電極在10^-3mol/L的ATA自組裝液中組裝的時(shí)間電位曲線圖；

圖2是組裝不同時(shí)間ATA?SAMs的HSn70-1黃銅電極分別浸入3％NaCl溶液中的交流阻抗圖(Nyquist圖)；

圖3是組裝不同時(shí)間ATA?SAMs的HSn70-1黃銅電極分別浸入3％NaCl溶液中極化曲線圖。

具體實(shí)施方式

下面通過實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)描述，一種在HSn70-1黃銅表面形成自組裝單分子阻蝕膜的方法，包括下列步驟：a.將HSn70-1黃銅先經(jīng)0#～6#逐級(jí)打磨拋光、無水乙醇除油、去離子水洗凈后，備用；b.將ATA配制成濃度為1×10^-3mol/L的緩蝕劑溶液；c.將上述處理過的HSn70-1黃銅浸漬于上述配制成的ATA緩蝕劑溶液中，浸漬溫度為20～30℃，浸漬時(shí)間為0.5～2小時(shí)，最終在HSn70-1黃銅表面形成ATA自組裝單分子阻蝕膜。步驟c中HSn70-1黃銅在ATA緩蝕劑溶液中的浸漬時(shí)間為1小時(shí)。

實(shí)施例

一、溶液配制

ATA：??C₂H₄N₄，白色或淡黃色粉末，易溶于水，無毒。

實(shí)施體系：3％NaCl溶液

實(shí)驗(yàn)中所用器皿都要用去離子水洗滌。所有溶液的配制均用去離子水。

二、HSn70-1黃銅電極