[發(fā)明專利]一種在HSn70－1黃銅表面形成自組裝單分子阻蝕膜的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710044078.3 | 申請日： | 2007-07-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101092698A | 公開（公告）日： | 2007-12-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐群杰;萬宗躍;黃詩俊 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海電力學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | C23F11/00 | 分類號(hào)： | C23F11/00 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人： | 吳寶根 |
| 地址： | 200090上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 hsn70 黃銅 表面 形成 組裝 分子 阻蝕膜 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種在HSn70-1黃銅表面形成自組裝單分子阻蝕膜的方法，包括下列步驟：
a.將HSn70-1黃銅先經(jīng)0#～6#逐級(jí)打磨拋光、無水乙醇除油、去離子水洗凈后，備用；
b.將ATA配制成濃度為1×10-3mol/L的緩蝕劑溶液；
c.將上述處理過的HSn70-1黃銅浸漬于上述配制成的ATA緩蝕劑溶液中，浸漬溫度為20～30℃，浸漬時(shí)間為0.5～2小時(shí)，最終在HSn70-1黃銅表面形成ATA自組裝單分子阻蝕膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種在HSn70-1黃銅表面形成自組裝單分子阻蝕膜的方法，其特征是：步驟c中HSn70-1黃銅在ATA緩蝕劑溶液中的浸漬時(shí)間為1小時(shí)。
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