[發(fā)明專利]大功率白光發(fā)光二極管及其芯片

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710043964.4
• 申請(qǐng)日: 2007-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN101350382A
• 公開（公告）日: 2009-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟世界
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波安迪光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/13
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 翟羽

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，更確切地說，涉及一種大功率白光發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及其芯片。

【背景技術(shù)】

發(fā)光二極管(LED)是一種將電能轉(zhuǎn)化為可見光的發(fā)光器件，具有工作電壓低、耗電量小，發(fā)光效率高，發(fā)光響應(yīng)時(shí)間短，性能穩(wěn)定可靠，重量輕，體積小，成本低等一系列特性，尤其是大功率二極管的問世，被榮譽(yù)為21世紀(jì)可以取代日光燈照明的新型光源。

如圖1所示，現(xiàn)有的大功率白光發(fā)光二極管封裝時(shí)通常將發(fā)光二極管芯片1通過膠固定在基座上設(shè)置的凹陷部?jī)?nèi)，然后在發(fā)光二極管芯片1上面覆蓋熒光粉層2。然而，通過這種方式封裝的發(fā)光二極管由于熒光粉層2大致呈蘑菇狀，厚度不均勻，導(dǎo)致大功率白光發(fā)光二極管發(fā)出的白色光一致性比較差，從而使發(fā)光二極管所發(fā)出的光不均勻，而參雜有其它顏色的色斑。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種發(fā)光均勻的大功率白光發(fā)光二極管及其芯片。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：一種大功率白光發(fā)光二極管，包括一基座、設(shè)置于所述基座內(nèi)的至少一個(gè)芯片和熒光粉，其中，所述芯片包括襯底和發(fā)光體，所述芯片為垂直出光型芯片，所述襯底具有一凹槽，所述發(fā)光體收容于所述凹槽內(nèi)并固定在所述凹槽的底面上，所述發(fā)光體的出光面與所述凹槽的內(nèi)壁圍合成一收容所述熒光粉的熒光粉收容間。

所述熒光粉填充滿所述熒光粉收容間后形成的熒光粉層上表面與所述襯底上端面平齊。

所述發(fā)光體的寬度與所述凹槽的寬度相當(dāng)，使得發(fā)光體側(cè)壁與凹槽的內(nèi)壁緊貼。

所述熒光粉與凹槽內(nèi)壁的接觸面平行于所述發(fā)光體側(cè)壁。

所述熒光粉與凹槽內(nèi)壁的接觸面與所述與凹槽的內(nèi)壁以一定的傾斜角度設(shè)置。

所述接觸面上有一反射層。

一種大功率白光發(fā)光二極管芯片，包括襯底和發(fā)光體，其特征在于：所述芯片為垂直出光型芯片，所述襯底具有一凹槽，所述發(fā)光體收容于所述凹槽內(nèi)并固定在所述凹槽的底面上，所述發(fā)光體的出光面與所述凹槽的內(nèi)壁圍合成一收容所述熒光粉的熒光粉收容間。

所述熒光粉填充滿所述熒光粉收容間后形成的熒光粉層上表面與所述襯底上端面平齊。

所述發(fā)光體的寬度與所述凹槽的寬度相當(dāng)，使得發(fā)光體側(cè)壁與凹槽的內(nèi)壁緊貼。

所述熒光粉與凹槽內(nèi)壁的接觸面平行于所述發(fā)光體側(cè)壁或者所述熒光粉與凹槽內(nèi)壁的接觸面與所述與凹槽的內(nèi)壁以一定的傾斜角度設(shè)置，所述接觸面上有一反射層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過對(duì)大功率白光發(fā)光二極管的芯片的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，在芯片的出光面的上方形成一凹槽，把熒光粉填滿所述的凹槽并使形成的熒光粉層上表面與所述襯底上端面平齊，使大功率白光發(fā)光二極管內(nèi)的熒光粉層封裝后具有較好的均勻性，從而使得大功率白光發(fā)光二極管發(fā)出的白色光具有較好的一致性，進(jìn)而大幅度提高了大功率白光發(fā)光二極管所發(fā)出光的均勻性。

【附圖說明】

圖1為現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中熒光粉分布示意圖。

圖2是本發(fā)明大功率白光發(fā)光二極管的局部剖面示意圖。

圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例大功率白光發(fā)光二極管芯片在沒有填充熒光粉時(shí)的剖面示意圖。

圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例大功率白光發(fā)光二極管芯片在填充熒光粉后的剖面示意圖。

圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例大功率白光發(fā)光二極管芯片在沒有填充熒光粉時(shí)的剖面示意圖。

圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例大功率白光發(fā)光二極管芯片在填充熒光粉后的剖面示意圖。

【具體實(shí)施方式】

實(shí)施例一

請(qǐng)一并參閱圖2、圖3和圖4所示，本實(shí)施例所揭示的大功率白光發(fā)光二極管8包括具有一凹陷部的基座1、設(shè)置于基座1凹陷部?jī)?nèi)的至少一芯片2和熒光粉3，其中，所述芯片電極(未示出)經(jīng)引線與發(fā)光二極管的電極(未示出)電性連接。

所述芯片2包括襯底20和發(fā)光體21，其中，所述襯底20具有一垂直結(jié)構(gòu)的凹槽(未標(biāo)號(hào))，所述發(fā)光體21收容于所述襯底20的凹槽內(nèi)，且通過固定物22固定在所述凹槽的底面200上。所述發(fā)光體21的寬度與所述凹槽的寬度相當(dāng)，使得發(fā)光體21側(cè)壁211與凹槽的內(nèi)壁201緊貼。所述發(fā)光體21收容于所述襯底20的凹槽內(nèi)后，其出光面210與所述凹槽的內(nèi)壁201圍合成一收容所述熒光粉3的熒光粉收容間203。所述熒光粉3填充滿所述熒光粉收容間203后形成的熒光粉層(未標(biāo)號(hào))上表面與所述襯底20上端面204平齊。所述芯片2為一垂直出光型芯片，芯片2發(fā)出的光垂直于出光面210射出。另外，熒光粉3與襯底20的凹槽的內(nèi)壁201的接觸面202平行于所述發(fā)光體21側(cè)壁211，該接觸面202上還設(shè)置有一反射層(未示出)。