[發(fā)明專利]大功率白光發(fā)光二極管及其芯片無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710043964.4 | 申請日： | 2007-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN101350382A | 公開（公告）日： | 2009-01-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孟世界 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波安迪光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/13 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 315400浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 大功率 白光 發(fā)光二極管 及其 芯片 | ||
1.一種大功率白光發(fā)光二極管，包括一基座、設(shè)置于所述基座內(nèi)的至少一個芯片和熒光粉，其中，所述芯片包括襯底和發(fā)光體，其特征在于：所述芯片為垂直出光型芯片，所述襯底具有一凹槽，所述發(fā)光體收容于所述凹槽內(nèi)并固定在所述凹槽的底面上，所述發(fā)光體的出光面與所述凹槽的內(nèi)壁圍合成一收容所述熒光粉的熒光粉收容間。
2.如權(quán)利要求1所述的大功率白光發(fā)光二極管，其特征在于：所述熒光粉填充滿所述熒光粉收容間后形成的熒光粉層上表面與所述襯底上端面平齊。
3.如權(quán)利要求1或2所述的大功率白光發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光體的寬度與所述凹槽的寬度相當(dāng)，使得發(fā)光體側(cè)壁與凹槽的內(nèi)壁緊貼。
4.如權(quán)利要求1所述的大功率白光發(fā)光二極管，其特征在于：所述熒光粉與凹槽內(nèi)壁的接觸面平行于所述發(fā)光體側(cè)壁。
5.如權(quán)利要求1所述的大功率白光發(fā)光二極管，其特征在于：所述熒光粉與凹槽內(nèi)壁的接觸面與所述與凹槽的內(nèi)壁以一定的傾斜角度設(shè)置。
6.如權(quán)利要求4或5所述的大功率白光發(fā)光二極管，其特征在于：所述接觸面上設(shè)有一反射層。
7.一種大功率白光發(fā)光二極管芯片，包括襯底和發(fā)光體，其特征在于：所述芯片為垂直出光型芯片，所述襯底具有一凹槽，所述發(fā)光體收容于所述凹槽內(nèi)并固定在所述凹槽的底面上，所述發(fā)光體的出光面與所述凹槽的內(nèi)壁圍合成一收容所述熒光粉的熒光粉收容間。
8.如權(quán)利要求7所述的大功率白光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述熒光粉填充滿所述熒光粉收容間后形成的熒光粉層上表面與所述襯底上端面平齊。
9.如權(quán)利要求7所述的大功率白光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述發(fā)光體的寬度與所述凹槽的寬度相當(dāng)，使得發(fā)光體側(cè)壁與凹槽的內(nèi)壁緊貼。
10.如權(quán)利要求7-9中任一項所述的大功率白光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述熒光粉與凹槽內(nèi)壁的接觸面平行于所述發(fā)光體側(cè)壁或者所述熒光粉與凹槽內(nèi)壁的接觸面與所述與凹槽的內(nèi)壁以一定的傾斜角度設(shè)置，所述接觸面上設(shè)有一反射層。
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