[發(fā)明專利]光刻方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710043681.X
• 申請日: 2007-07-11
• 公開（公告）號: CN101344721A
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周孟興
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造技術(shù)，具體地說，涉及一種半導(dǎo)體器件的光刻方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體器件越來越精密，使得人們對工藝誤差的控制難度加大。光刻制程是半導(dǎo)體器件制造的一個重要環(huán)節(jié)，在光刻制程中如何獲得更好的關(guān)鍵尺寸(CD)變得越來越重要。

現(xiàn)有蝕刻圖形的方法是：首先在晶圓的被蝕刻層1表面鍍光刻膠2，且光刻膠厚度均勻，如圖1所示；然后進(jìn)行顯影步驟，如果采用的是正光刻膠，則曝光區(qū)的光刻膠被移除掉；然后進(jìn)行蝕刻步驟，在被蝕刻層2上蝕刻出需要的電路圖形；最后將剩于的光刻膠移除。采用現(xiàn)有方法顯影步驟后檢視發(fā)現(xiàn)，圖形關(guān)鍵尺寸均勻度較好，如圖2所示。但是，經(jīng)過蝕刻步驟后檢視發(fā)現(xiàn)，圖形關(guān)鍵尺寸均勻度較差，如圖3所示，晶圓中心部分的圖形關(guān)鍵尺寸比邊緣部分的圖形關(guān)鍵尺寸變化小。采用現(xiàn)有的方法，使得蝕刻圖形與所需要的電路圖形相差較多，且由于在晶圓不同位置，圖形失真情況也不一樣，采用傳統(tǒng)方法如光學(xué)趨近校正及曝光機(jī)趨近校正由于其本身的局限也無法使蝕刻圖形達(dá)到要求。

有鑒于此，需要提供一種新的光刻方法以改善上述情況。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供一種可提高蝕刻圖形均勻度的光刻方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種新的光刻方法，其包括如下步驟：提供待加工晶圓；在晶圓的被蝕刻層表面鍍光刻膠，且晶圓中心部分的光刻膠厚度與晶圓周邊部分的光刻膠厚度不同；進(jìn)行曝光步驟；顯影步驟；進(jìn)行蝕刻步驟；移除剩余的光刻膠。

在鍍光刻膠的步驟中，光刻膠的厚度從晶圓中心到周邊逐步均勻增加。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以獲得均勻度較好的電路圖形，且由于晶圓各個位置圖形的失真情況比較一致，方便采用傳統(tǒng)方法對如光學(xué)趨近校正及曝光機(jī)趨近校正等等校正方法，進(jìn)一步控制蝕刻圖形的一致性。

附圖說明

通過以下對本發(fā)明一實施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點。其中，附圖為：

圖1為現(xiàn)有光刻制程中鍍光刻膠后的晶圓示意圖。

圖2為現(xiàn)有光刻制程中顯影步驟后，檢視圖形關(guān)鍵尺寸一致性的曲線圖。

圖3為現(xiàn)有光刻制程中蝕刻步驟后，檢視圖形關(guān)鍵尺寸一致性的曲線圖。

圖4為本發(fā)明鍍光刻膠后的晶圓示意圖。

圖5為本發(fā)明顯影步驟后，檢視圖形關(guān)鍵尺寸一致性的曲線圖。

圖6為本發(fā)明蝕刻步驟后，檢視圖形關(guān)鍵尺寸一致性的曲線圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明公開的光刻方法作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

請參閱圖4至圖6，本發(fā)明的光刻方法包括如下步驟：

提供待加工晶圓；

在晶圓的被蝕刻層3表面鍍光刻膠4，該光刻膠4的厚度從晶圓中心到周邊逐步均勻增加；

進(jìn)行曝光步驟；

進(jìn)行顯影步驟，顯影步驟后檢測發(fā)現(xiàn)，圖形關(guān)鍵尺寸一致性曲線圖，如圖5所示，曲線圖的形狀與光刻膠厚度的形狀一致；

進(jìn)行蝕刻步驟，在被蝕刻層3上形成需要的電路圖形，檢視后發(fā)現(xiàn)晶圓各個位置的圖形關(guān)鍵尺寸的一致，如圖6所示，大致呈直線；

移除剩余的光刻膠。

采用本發(fā)明的光刻方法，可以獲得均勻度較好的電路圖形，且晶圓各個位置圖形的失真情況一致，方便采用傳統(tǒng)方法對如光學(xué)趨近校正及曝光機(jī)趨近校正等等校正方法，進(jìn)一步控制蝕刻圖形的一致性。