[發(fā)明專利]光刻方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710043681.X | 申請日： | 2007-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN101344721A | 公開（公告）日： | 2009-01-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周孟興 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201203上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光刻方法，其包括如下步驟：提供待加工晶圓；在晶圓的被蝕刻層表面鍍光刻膠；進行曝光步驟；顯影步驟；進行蝕刻步驟；移除剩余的光刻膠；其特征在于，在鍍光刻膠的步驟中，晶圓中心部分的光刻膠厚度與晶圓周邊部分的光刻膠厚度不同。
2.如權利要求1所述的光刻方法，其特征在于：在鍍光刻膠的步驟中，光刻膠的厚度從晶圓中心到周邊逐步均勻增加。
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